[发明专利]激光退火装置、掩膜、薄膜晶体管和激光退火方法

说明书

本发明提供能够进行电子迁移率局部不同的退火处理的激光退火装置、掩膜、薄膜晶体管和激光退火方法。激光退火装置具备掩膜，掩膜上沿着扫描方向形成有若干个开口部，使基板在扫描方向上移动，通过开口部将激光照射到基板上，若干个开口部具有沿着扫描方向整齐排列且形状相同的第一开口区域，若干个开口部中的一部分开口部具有第二开口区域，第二开口区域在相对于第一开口区域的规定方向上与第一开口区域相连。

技术领域

本发明涉及激光退火装置、掩膜、薄膜晶体管和激光退火方法，所述激光退火装置通过形成在所述掩膜上的开口部将激光照射到基板上，所述掩膜构成所述激光退火装置，所述薄膜晶体管由所述激光退火装置进行了激光退火，所述激光退火方法中使用所述激光退火装置。

背景技术

TFT(Thin Film Transistor：薄膜晶体管)方式的液晶显示器中，TFT基板与具有R(红)、G(绿)、B(青)颜色的彩色滤光片基板隔着一定间隙粘贴，在TFT基板与彩色滤光片基板之间注入液晶，并在每个像素上控制液晶分子对光的透射率，从而能够显示图像。

在TFT基板上，数据线和扫描线配置成横竖方向的格子状，在数据线与扫描线交叉的位置形成由TFT构成的像素。还有，在由若干个像素构成的显示区域的周围，形成由TFT构成的驱动电路，驱动电路驱动数据线和扫描线。

例如，目前在开发的TFT有使用硅半导体的非晶硅(非晶态、a-Si)TFT、以多晶硅(多晶态、p-Si)作为半导体层的低温多晶硅TFT等。a-SiTFT中，电阻高，漏电流(泄漏电流)小。还有，p-SiTFT与a-SiTFT相比，电子迁移率特别大。

通过将激光照射到非晶硅层进行退火处理，能够形成多晶硅层。例如，有一种激光退火装置，利用透镜组使激光源射出的激光形成平行光束，再通过形成有开口部的遮光部件和微透镜阵列将形成的平行光束照射到基板上。这样的激光退火装置中，在遮光部件上沿着基板的扫描方向配置规定数量的开口部，基板每次移动开口部的间距后进行激光照射，由于在一轮扫描中对基板的所需位置照射激光的次数与开口部数量相等，因此能够对基板的所需位置照射相同照射量的激光(参照专利文献1)。

〔专利文献〕

专利文献1:日本专利第5470519号公报

发明内容

现有的激光退火装置在一轮扫描中对基板的所需位置照射相同照射量的激光。因此，例如在将源电极和漏电极之间的间隙部分以及源电极和漏电极各自的部分正下方的电极正下方部分作为所需位置的情况下，间隙部和电极正下方部分各自的多晶硅层的电子迁移率变得一样高，TFT的漏电流变大。

本发明是鉴于上述课题而做出的，其目的在于提供激光退火装置、掩膜、薄膜晶体管和激光退火方法，所述激光退火装置能够进行使电子迁移率局部不同的退火处理，所述掩膜构成所述激光退火装置，所述薄膜晶体管由所述激光退火装置进行了激光退火，所述激光退火方法中使用所述激光退火装置。

本发明的实施方式所涉及的激光退火装置具备掩膜，所述掩膜上沿着扫描方向形成有若干个开口部，通过所述开口部将激光照射到基板上，其特征在于，所述若干个开口部具有沿着所述扫描方向整齐排列且形状相同的第一开口区域，所述若干个开口部中的一部分开口部具有第二开口区域，所述第二开口区域在相对于所述第一开口区域的规定方向上与所述第一开口区域相连。

本发明的实施方式所涉及的掩膜是在沿着基板的扫描方向上形成了若干个开口部的掩膜，其特征在于，所述若干个开口部具有沿着所述扫描方向整齐排列且形状相同的第一开口区域，所述若干个开口部中的一部分开口部具有第二开口区域，所述第二开口区域在相对于所述第一开口区域的规定方向上与所述第一开口区域相连。