[发明专利]激光退火装置、掩膜、薄膜晶体管和激光退火方法

权利要求书

1.一种激光退火装置，具备掩膜，所述掩膜上沿着扫描方向形成有若干个开口部，通过所述开口部将激光照射到基板上，其特征在于，

所述若干个开口部具有沿着所述扫描方向整齐排列且形状相同的第一开口区域，

所述若干个开口部中的一部分开口部具有第二开口区域，所述第二开口区域在相对于所述第一开口区域的规定方向上与所述第一开口区域相连。

2.根据权利要求1所述的激光退火装置，其特征在于，

所述若干个开口部中的一部分开口部具有1组第二开口区域，所述1组第二开口区域在相对于所述第一开口区域的规定方向上隔着所述第一开口区域，并都与所述第一开口区域相连。

3.根据权利要求1或者权利要求2所述的激光退火装置，其特征在于，

所述规定方向与所述扫描方向垂直，

所述第一开口区域和所述第二开口区域在所述扫描方向上的尺寸相同。

4.根据权利要求1或者权利要求2所述的激光退火装置，其特征在于，

所述规定方向是所述扫描方向，

所述第一开口区域和所述第二开口区域在与所述扫描方向垂直的方向上的尺寸相同。

5.根据权利要求1至权利要求4中的任意一项所述的激光退火装置，其特征在于，

所述第一开口区域是矩形形状。

6.根据权利要求1至权利要求5中的任意一项所述的激光退火装置，其特征在于，

所述若干个开口部的全部或者一部分具备调整激光照射量的调整部件。

7.根据权利要求1至权利要求6中的任意一项所述的激光退火装置，其特征在于，

具备设置成与所述若干个开口部分别对应的透镜，所述透镜使通过所述开口部照射来的激光会聚。

8.根据权利要求1至权利要求7中的任意一项所述的激光退火装置，其特征在于，

具备激光源，所述激光源射出激光，通过所述若干个开口部的每一个进行激光照射。

9.一种掩膜，在沿着基板的扫描方向上形成了若干个开口部，其特征在于，

所述若干个开口部具有沿着所述扫描方向整齐排列且形状相同的第一开口区域，

所述若干个开口部中的一部分开口部具有第二开口区域，所述第二开口区域在相对于所述第一开口区域的规定方向上与所述第一开口区域相连。

10.一种薄膜晶体管，其特征在于具备：

栅电极，形成在基板的表面上；

非晶态半导体膜，形成在所述栅电极的上侧；

源电极，形成在所述非晶态半导体膜上；

漏电极，形成在所述非晶态半导体膜上；

正下方结晶性半导体膜，在所述非晶态半导体膜中，所述源电极和所述漏电极各自的部分正下方的所述非晶态半导体膜由权利要求1至权利要求8中的任意一项所述的激光退火装置进行退火处理而形成所述正下方结晶性半导体膜；以及

电极间结晶性半导体膜，在所述非晶态半导体膜中，所述源电极和所述漏电极之间的所述非晶态半导体膜由权利要求1至权利要求8中的任意一项所述的激光退火装置进行退火处理而形成所述电极间结晶性半导体膜，

所述电极间结晶性半导体膜的电子迁移率比所述正下方结晶性半导体膜的电子迁移率高。

11.一种激光退火方法，其特征在于，

使用权利要求1至权利要求8中的任意一项所述的激光退火装置，

沿着扫描方向改变基板和掩膜的相对位置，

通过形成在掩膜上的若干个开口部将激光照射到所述基板上。