[发明专利]激光装置

说明书

激光装置的控制部根据使用压力传感器计测出的气压，选择第1气体控制和第2气体控制中的一方，在第1气体控制中，向腔室的内部供给第1激光气体和第2激光气体中的至少一方，以使第1气体控制之后的腔室的内部的气压比第1气体控制之前的腔室的内部的气压增高，在第2气体控制中，至少向腔室的内部供给第1激光气体，并排放腔室的内部的一部分激光气体，使第2气体控制之前的腔室的内部的气压与第2气体控制之后的腔室的内部的气压的差小于第1气体控制之前的腔室的内部的气压与第1气体控制之后的腔室的内部的气压的差。

技术领域

本公开涉及激光装置。

背景技术

随着半导体集成电路的微细化、高集成化，在半导体曝光装置中，对分辨能力提出了更高的要求。以下，将半导体曝光装置仅称为“曝光装置”。因此，正在推进从曝光用光源输出的光的短波长化。在曝光用光源中，使用气体激光装置来代替以往的水银灯。现在，作为曝光用的气体激光装置，使用输出波长为248nm的紫外线的KrF准分子激光装置、以及输出波长约为193nm的紫外线的ArF准分子激光装置。

作为现有的曝光技术，如下的液浸曝光已被投入实际使用：通过将曝光装置侧的投影透镜与晶片之间的间隙用液体填充，来改变该间隙的折射率，从而使曝光用光源的外观波长短波长化。在将ArF准分子激光装置作为曝光用光源使用而进行液浸曝光的情况下，对晶片照射水中的波长为134nm的紫外光。该技术称为ArF液浸曝光。ArF液浸曝光也被称为ArF液浸光刻。

因为KrF、ArF准分子激光装置的自然振荡的光谱线宽度约为350～400pm、比较宽，所以由曝光装置侧的投影透镜缩小地投影在晶片上的激光束(紫外线光)产生色差，分辨能力降低。为此，有必要使从气体激光装置输出的激光束的光谱线宽度变窄直至色差可以忽略不计。光谱线宽度也被称为频谱宽度。因此，在气体激光装置的激光谐振器内设置具有窄带化元件的窄带化模块(Line Narrow Module)，并且通过该窄带化模块实现频谱宽度的窄带化。另外，窄带化元件也可以是标准具(etalon)、光栅等。像这样频谱宽度变窄的激光装置称为窄带化激光装置。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2015/098985号

专利文献2：美国专利申请公开第2015/0188274号说明书

专利文献3：美国专利申请公开第2013/0100980号说明书

专利文献4：国际公开第01/028048号

专利文献5：特开平04-102383号公报

专利文献6：特开2012-018979号公报

发明内容

本公开的一个发明的激光装置具有：腔室，其在内部配置有1对放电电极；气体供给装置，其向腔室的内部供给含有卤素气体的第1激光气体和卤素气体浓度比第1激光气体低的第2激光气体；排放装置，其排放腔室的内部的激光气体；压力传感器，其计测腔室的内部的气压；以及控制部，其根据使用压力传感器计测出的气压，选择第1气体控制和第2气体控制中的一方，其中，在第1气体控制中，向腔室的内部供给第1激光气体和第2激光气体中的至少一方，使第1气体控制之后的腔室的内部的气压比第1气体控制之前的腔室的内部的气压增高，在第2气体控制中，向腔室的内部至少供给第1激光气体，排放腔室的内部的一部分激光气体，使第2气体控制之前的腔室的内部的气压与第2气体控制之后的腔室的内部的气压的差小于第1气体控制之前的腔室的内部的气压与第1气体控制之后的腔室的内部的气压的差。