[发明专利]用于光刻边缘放置误差提前矫正的对齐节距四等分图案化

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

从半导体衬底的大体上平坦表面突出的多个半导体鳍片，所述多个半导体鳍片具有被具有第一鳍片部分的第一位置所中断并且被具有第二鳍片部分的第二位置所中断的格图案，所述第一鳍片部分具有第一高度，所述第二鳍片部分具有与所述第一高度不同的第二高度；

沟槽隔离层，所述沟槽隔离层被设置在所述多个半导体鳍片之间，并且与所述多个半导体鳍片的下部分相邻，但是没有与所述多个半导体鳍片的上部分相邻，并且其中所述沟槽隔离层被设置在所述第一和第二鳍片部分之上；

一个或多个栅电极堆叠，所述一个或多个栅电极堆叠被设置在所述多个半导体鳍片的所述上部分的顶表面和侧壁上，以及在所述沟槽隔离层的部分上；以及

源和漏区，所述源和漏区被设置在所述一个或多个栅电极堆叠的任一侧上。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中，所述格图案具有恒定节距。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其中，所述源和漏区被设置成与所述多个半导体鳍片的所述上部分相邻，并且包括与所述半导体鳍片的半导体材料不同的所述半导体材料。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其中，所述源和漏区被设置在所述多个半导体鳍片的所述上部分内。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其中，所述一个或多个栅电极堆叠包括高k栅介电层和金属栅电极。

6.一种半导体结构，包括：

从半导体衬底的大体上平坦表面突出的多个半导体鳍片，所述多个半导体鳍片具有被具有第一凹口的第一位置所中断的格图案，所述第一凹口在所述半导体衬底的所述大体上平坦表面下方；

沟槽隔离层，所述沟槽隔离层被设置在所述多个半导体鳍片之间，并且与所述多个半导体鳍片的下部分相邻，但是没有与所述多个半导体鳍片的上部分相邻，并且其中所述沟槽隔离层被设置在所述第一凹口之中和之上；

一个或多个栅电极堆叠，所述一个或多个栅电极堆叠被设置在所述多个半导体鳍片的所述上部分的顶表面和侧壁上，以及在所述沟槽隔离层的部分上；以及

源和漏区，所述源和漏区被设置在所述一个或多个栅电极堆叠的任一侧上。

7.如权利要求6所述的半导体结构，其中，所述格图案还被具有第二凹口的第二位置所中断，并且其中所述沟槽隔离层被设置在所述第二凹口之中和之上，所述第二凹口在所述半导体衬底的所述大体上平坦表面下方。

8.如权利要求6所述的半导体结构，其中，所述格图案还被具有鳍片部分的第二位置所中断，并且其中所述沟槽隔离层被设置在所述鳍片部分之上，所述鳍片部分在所述半导体衬底的所述大体上平坦表面下方。

9.如权利要求6所述的半导体结构，其中，所述格图案具有恒定节距。

10.如权利要求6所述的半导体结构，其中，所述源和漏区被设置成与所述多个半导体鳍片的所述上部分相邻，并且包括与所述半导体鳍片的半导体材料不同的所述半导体材料。

11.如权利要求6所述的半导体结构，其中，所述源和漏区被设置在所述多个半导体鳍片的所述上部分内。

12.如权利要求6所述的半导体结构，其中，所述一个或多个栅电极堆叠包括高k栅介电层和金属栅电极。