[发明专利]基板转印方法和基板转印装置在审
申请号: | 201680084245.4 | 申请日: | 2016-12-15 |
公开(公告)号: | CN109155271A | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
发明(设计)人: | 松下孝夫;山本雅之 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;B23K26/38;H01L21/304 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 粘合带 晶圆 转印 环形框 上表面 基板 剥离 一次转印 转印装置 安装框 同一面 粘贴 | ||
在使粘合带(T1)处于上表面侧的状态下保持安装框(MF1),从环形框(f)和晶圆(W)剥离粘合带(T1)。在剥离了粘合带(T1)之后,跨晶圆(W)和环形框的上表面地粘贴新的粘合带(T2)。通过一次转印操作,完成对晶圆(W)的同一个面从粘合带(T1)向粘合带(T2)的转印,因此,能够利用更简单的工序实现对晶圆(W)的同一面进行向不同的特性的粘合带转印的操作。
技术领域
本发明涉及对于借助粘合带粘接保持于环形框的半导体晶圆、电路基板、LED(发光二极管)等各种基板实施了所期望的处理之后,重新转印于新的粘合带的基板转印方法和基板转印装置。
背景技术
作为基板,以半导体晶圆为例实施了以下这样的处理。通常的半导体晶圆(以下简称为“晶圆”)在其表面形成了许多元件的电路图案之后,在该表面粘贴保护用的粘合带(保护带)进行保护。在背面研磨工序中,从背面对表面被保护的晶圆进行磨削或者研磨加工来制成所期望的厚度。在从已薄型化的晶圆剥离保护带并将该晶圆向切割工序输送之前,为了加强晶圆,借助支承用的粘合带(切割带)将晶圆粘接保持于环形框。
粘接保持于环形框的晶圆的加工工序根据制造的半导体芯片而不同。例如,在使半导体芯片微细化的情况下,进行激光切割处理。这时,若从形成有电路图案的表面进行切割,则电路受到热的影响会破损,因此,需要在背面研磨处理之前从背面进行半切割。在将半切割后的晶圆切断之后将各芯片安装于所期望的位置,这时,利用夹头从芯片表面吸附并输送芯片,因此将表面的粘合带和保护带剥离。从该粘合带等被剥离后的晶圆的背面侧重新粘贴粘合带并粘接保持于新的环形框,在此基础上将晶圆切断。也就是说,需要在切断之前将晶圆重新转印于新的环形框。
在该转印时,为了防止在环形框与晶圆之间暴露的粘合带的粘合面和新粘贴的粘合带的粘合面相粘接,使环形框和晶圆相对地远离移动来使粘合带弹性变形,从而在厚度方向上获得间隙(参照专利文献1、2)。此外,作为为了避免两个粘合带彼此间粘合的其他的以往例,还使用在暴露的粘合带的粘合面彼此间插入非粘合性的防粘接板的方法(参照专利文献3)。
专利文献1:日本特开2011-29434号公报
专利文献2:日本特开2007-220693号公报
专利文献3:日本特开2012-244013号公报
发明内容
但是,在上述以往方法中存在以下的问题。
即,以往的转印方法都是从晶圆的一个面向该晶圆的另一个面转印粘合带的方法。即,对于在一个面粘贴有粘合带的晶圆,向该晶圆的另一个面粘贴新的粘合带,将粘贴于一个面的粘合带剥离,从而进行转印。
近年来,提高了对晶圆的同一个面进行粘合带的转印的要求。作为需要对晶圆的同一个面进行转印的情况的具体例,能够举出如下等情况:在对晶圆的背面进行背面研磨处理之后,利用热对该背面进行处理来改变光的折射率。在该情况下,需要将在背面研磨处理时粘贴于晶圆表面的保护用的粘合带更换粘贴为具有耐热性的新的粘合带之后进行对晶圆背面的热处理。这样,由于对晶圆的处理多样化,因此将粘贴于晶圆的同一个面的粘合带更换粘贴(转印)为具有其他特性的新的粘合带的必要性变大。
像上述那样,在以往的转印方法中,只能从晶圆的一个面向该晶圆的另一个面转印粘合带。因此,在对晶圆的同一个面转印新的粘合带的情况下,以往需要首先从晶圆的一个面向该晶圆的另一个面进行转印,再从晶圆的另一个面相对于该晶圆的一个面转印粘合带。其结果是,转印的操作变得复杂,此外,存在转印的所需时间和成本增加等问题。
本发明是鉴于这样的情况而完成的,其主要目的在于提供对于基板的同一个面能够高精度地从旧的粘合带向新的粘合带转印的基板转印方法和基板转印装置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日东电工株式会社,未经日东电工株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680084245.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造