[发明专利]用于排气冷却的设备在审
申请号: | 201680083129.0 | 申请日: | 2016-04-13 |
公开(公告)号: | CN108701583A | 公开(公告)日: | 2018-10-23 |
发明(设计)人: | 达斯廷·W·胡;迈克尔·S·考克斯;韦斯特·T·布赖恩特;约翰逊·M·罗杰;罗森宗·言;索曼纳·丁克什 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 排气冷却设备 紊流 排气冷却 排气流动 斜角叶片 扩散器 冷却板 自排气 最小化 鳍片 排气 引入 | ||
一种排气冷却设备(117),包括至少一个冷却板(314、412、514、614、814、914),用于将紊流引入到排气冷却设备(117)内排气流动。装置(318、518、618、818、918)可以是多个鳍片(320、322、324、326、328)、具有弯曲顶部(544、644)的圆柱体(518、618)或具有斜角叶片(826、926)的扩散器(824、925)。排气冷却设备(117)内的排气的紊流使颗粒自排气中离开,而最小化排气冷却设备(117)下游的设备中形成颗粒。
技术领域
本公开内容的实施方式一般涉及半导体处理设备。更特定而言,本公开内容的实施方式涉及消除(abatement)系统和用于消除半导体工艺中产生的化合物的真空处理系统。
背景技术
半导体处理设施所用的处理气体包括许多因法规要求及环境与安全考虑而在弃置前必须消除或处理的化合物,如全氟碳化物(PFCs)。一般而言,远程等离子体源可耦接至处理腔室以消除离开处理腔室的化合物。可将试剂注入等离子体源以协助消除化合物。
用于消除PFCs的常规消除技术利用水蒸气作为试剂,其提供良好的破坏移除效率(DRE)。然而,在远程等离子体源中使用水蒸气消除特定化合物可能导致在远程等离子体源和远程等离子体源下游的设备(如排气线和泵)中形成固体颗粒。此外,离开远程等离子体源的排气可处于升高的温度,此可导致在远程等离子体源下游的泵处的问题。
因此,用于消除半导体工艺中产生的化合物的改良的消除系统是本领域中所需的。
发明内容
本公开内容的实施方式涉及消除系统和用于消除半导体工艺中产生的化合物的真空处理系统。在一个实施方式中,排气冷却设备包括具有入口和出口的主体以及设置在主体内的多个冷却板。多个冷却板形成蛇形通道。
在另一个实施方式中,排气冷却设备包括具有入口和出口的主体以及设置在主体内的多个中空圆柱体。多个中空圆柱体是同心的。
在另一个实施方式中,排气冷却设备包括具有入口和出口的主体、设置在主体内的冷却板和设置在冷却板上方的装置。该装置包括壁和耦接该壁的板。
附图说明
本公开内容的特征已简要概述于前,并在以下有更详尽的论述,可以通过参考所附附图中绘示的本案实施方式以作了解。然而,值得注意的是,所附附图仅绘示本公开内容的典型实施方式,而由于本公开内容可允许其他等效的实施方式,因此所附附图并不会视为本公开内容的范围的限制。
图1是包括根据本文所述的一个实施方式的排气冷却设备的真空处理系统的示意性侧视图。
图2A是根据本文所述的一个实施方式的排气冷却设备的示意性截面图。
图2B是根据本文所述的另一个实施方式的排气冷却设备的示意性截面图。
图2C是根据本文所述的一个实施方式的圆柱体和耦接构件的示意性截面俯视图。
图3是根据本文所述的一个实施方式的排气冷却设备的截面图。
图4是根据本文所述的一个实施方式的排气冷却设备的截面图。
图5是根据本文所述的一个实施方式的排气冷却设备的截面图。
图6是根据本文所述的一个实施方式的排气冷却设备的截面图。
图7A是根据本文所述的一个实施方式的衬垫的一部分的透视图。
图7B是根据本文所述的一个实施方式的衬垫的透视图。
图8是根据本文所述的一个实施方式的排气冷却设备的截面图。
图9是根据本文所述的一个实施方式的排气冷却设备的截面图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造