[发明专利]具有电磁干扰屏蔽结构的半导体封装有效
申请号: | 201680083027.9 | 申请日: | 2016-04-01 |
公开(公告)号: | CN109314100B | 公开(公告)日: | 2023-05-26 |
发明(设计)人: | J·黑普纳;M·B·莫迪 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L23/552 | 分类号: | H01L23/552;H01L23/48 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 林金朝;王英 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 电磁 干扰 屏蔽 结构 半导体 封装 | ||
公开了具有电磁干扰(EMI)屏蔽结构的半导体封装及其制造方法。在一些方面中,一种屏蔽结构可以充当由导电材料或由可以用于阻挡从在半导体封装的封装级或局部和/或分隔的封装级由屏蔽结构包围的一个或多个电子部件发射的电场的这种材料的网格形成的外壳。在一个实施例中,线和/或带接合可以用于制造屏蔽结构。例如,一个或多个线和/或带接合可以从封装的一侧上的连接接地焊盘延伸到封装的另一侧上的连接接地焊盘。这可以在预定间距下重复多次,该预定间距是符合用于屏蔽的电气要求所必需的,例如,小于或等于由被屏蔽的电子部件生成的辐射的波长的大致一半。
技术领域
本公开总体上涉及半导体封装,并且更具体而言涉及具有电磁屏蔽结构的半导体封装。
背景技术
集成电路和其它电子器件可以被封装在半导体封装上。半导体封装可以被集成到诸如消费电子系统的电子系统上。在一些情况下,半导体封装上提供的集成电路和/或电子器件可能会彼此干扰或干扰集成了所述半导体封装的系统的其它电子部件。
附图说明
现在将参考附图,附图未必按比例绘制,并且其中:
图1A-图1D描绘了根据本公开的示例性实施例的具有线屏蔽结构的示例性半导体封装及制造过程的简化截面示意图。
图2描绘了根据本公开的示例性实施例的具有线屏蔽结构的示例性半导体封装的简化透视图。
图3描绘了根据本公开的示例性实施例的具有线屏蔽结构和模塑层的示例性半导体封装的简化透视图。
图4A-图4D描绘了根据本公开的示例性实施例的具有带屏蔽结构的示例性半导体封装及制造过程的简化截面示意图。
图5描绘了根据本公开的示例性实施例的具有带屏蔽结构的示例性半导体封装的简化透视图。
图6描绘了根据本公开的示例性实施例的具有带屏蔽结构和模塑层的示例性半导体封装的简化透视图。
图7A和图7B描绘了简化截面示意图,其示出了根据本公开的示例性实施例的在管芯和半导体封装之间具有电气和机械耦合、并且具有电磁干扰(EMI)屏蔽结构的半导体封装。
图8描绘了简化截面示意图,其示出了根据本公开的示例性实施例的在一个或多个电子部件周围具有EMI屏蔽件的系统级封装(SiP)。
图9描绘了流程图,其示出了根据本公开的示例性实施例的用于制造图1-图8的半导体封装的示例性方法。
具体实施方式
下文参考附图更完整地描述本公开的实施例,附图中示出了本公开的示例性实施例。然而,本公开可以体现成很多不同形式,并且不应被解释为限于本文阐述的示例性实施例;相反,提供这些实施例是为了使本公开透彻和完整,并将向本领域的技术人员完整传达本公开的范围。在所有附图中,相似的附图标记指代相似、但未必相同或等同的元件。
以下实施例得到充分详细的描述,以使至少本领域技术人员能够理解并使用本公开。要理解的是,基于本公开,其它实施例将是显而易见的,并且可以做出过程、机械、材料、尺寸、处理设备和参数方面的改变而不脱离本公开的范围。
在以下描述中,给出了众多具体细节以提供对本公开的各种实施例的透彻理解。然而将显而易见的是,可以在没有这些具体细节的情况下实践本公开。为了避免使本公开难以理解,一些公知的系统配置和过程步骤可能不会被完全详细公开。同样,示出本公开的实施例的附图为半示意性且不成比例的,并且特别地,为了呈现清晰的目的一些尺寸可以在附图中被放大。此外,在将多个实施例公开和描述为有一些共同特征的情况下,为了例示、描述及其理解的清晰和容易,一般将利用类似附图标记描述类似和相似特征,即使这些特征是不同的。
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