[发明专利]具有电磁干扰屏蔽结构的半导体封装有效

专利信息
申请号: 201680083027.9 申请日: 2016-04-01
公开(公告)号: CN109314100B 公开(公告)日: 2023-05-26
发明(设计)人: J·黑普纳;M·B·莫迪 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01L23/552 分类号: H01L23/552;H01L23/48
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 林金朝;王英
地址: 美国加*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 电磁 干扰 屏蔽 结构 半导体 封装
【权利要求书】:

1.一种微电子器件,包括:

衬底;

一个或多个外周边引线屏蔽结构,其耦合至所述衬底,所述引线屏蔽结构包括形成环的一个或多个接合引线,其中,至少两个环共享公共的接合焊盘并且彼此重叠,其中,所述至少两个环在相反的方向上彼此远离地延伸;

电子部件,其位于与所述一个或多个外周边引线屏蔽结构相邻处。

2.根据权利要求1所述的微电子器件,其中,所述一个或多个外周边引线屏蔽结构耦合到接地源。

3.根据权利要求2所述的微电子器件,其中,所述一个或多个接合引线的两端耦合到所述接地源。

4.根据权利要求1所述的微电子器件,其中,所述一个或多个外周边引线屏蔽结构横向包围所述衬底的包含所述电子部件的区域。

5.根据权利要求1所述的微电子器件,其中,所述一个或多个接合引线包括一个或多个引线带结构。

6.根据权利要求1所述的微电子器件,其中,所述一个或多个外周边引线屏蔽结构在所述衬底上形成矩形的两个或更多侧面。

7.根据权利要求1所述的微电子器件,还包括覆盖所述电子部件的模塑材料。

8.根据权利要求7所述的微电子器件,还包括设置于所述模塑材料之上的屏蔽层。

9.根据权利要求8所述的微电子器件,其中,所述屏蔽层耦合到所述一个或多个外周边引线屏蔽结构。

10.一种微电子器件,包括:

衬底;

一个或多个外周边引线屏蔽结构,其耦合至所述衬底,所述引线屏蔽结构包括在所述外周边上形成环的一个或多个接合引线,其中,至少两个环共享公共的接合焊盘并且彼此重叠,其中,所述至少两个环在相反的方向上彼此远离地延伸;

电子部件,其耦合到所述衬底,其中,所述一个或多个外周边引线屏蔽结构基本上延伸所述电子部件的两个或更多侧面的整个长度。

11.根据权利要求10所述的微电子器件,其中,所述一个或多个外周边引线屏蔽结构耦合到接地源。

12.根据权利要求10所述的微电子器件,其中,所述一个或多个接合引线的两端耦合到所述接地源。

13.根据权利要求10所述的微电子器件,其中,多个接合引线耦合到公共的接地焊盘。

14.根据权利要求10所述的微电子器件,其中,所述一个或多个外周边引线屏蔽结构在所述衬底上形成矩形的两个或更多侧面。

15.一种引线屏蔽结构,包括:

一个或多个接合引线,其耦合至衬底的表面,所述表面包括与微电子器件电耦合的多个导电特征,其中,所述一个或多个接合引线形成环,其中,至少两个环共享公共的接合焊盘,并且彼此重叠,其中,所述至少两个环在相反的方向上彼此远离地延伸;

其中,所述一个或多个接合引线位于与所述多个导电特征相邻处。

16.根据权利要求15所述的屏蔽结构,其中,所述多个导电特征包括设置在所述表面上的金属焊盘,所述金属焊盘用于与从所述微电子器件延伸的金属柱或焊料凸块耦合。

17.根据权利要求15所述的屏蔽结构,其中,所述多个导电特征包括设置在所述表面上的金属焊盘,所述金属焊盘用于与从所述微电子器件延伸的接合引线耦合。

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