[发明专利]激光退火方法、激光退火装置及薄膜晶体管基板

说明书

本发明提供一种对被覆于基板(6)上的非晶硅膜照射激光而使其结晶化的激光退火方法，对所述基板(6)上的多个第一及第二TFT形成部(23、24)照射不同的照射光量的激光，从而将所述多个第一及第二TFT形成部(23、24)的所述非晶硅膜结晶化为不同的结晶状态的多晶硅膜。

技术领域

本发明涉及一种对非晶硅膜照射激光而使其结晶化的激光退火方法，特别是涉及一种能够以一次的激光退火处理工序制造电气特性不同的多个薄膜晶体管的激光退火方法、激光退火装置及薄膜晶体管基板。

背景技术

现有的激光退火方法使用柱面透镜生成线光束，在搬送沿该线光束的长轴交叉的方向被覆有非晶硅膜的基板的同时，将线光束均匀地照射至基板的整个面，从而将非晶硅膜同样地结晶化(例如，参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013－191743号公报

发明所要解决的问题

但是，由于在这种现有的激光退火方法中，将基板整个面的非晶硅膜同样地结晶化，因此，所有的薄膜晶体管形成部的多晶硅半导体层的结晶状态相同。从而，所形成的所有的薄膜晶体管具有相同的电气特性。

因此，在将现有的激光退火方法适用于例如有机EL用薄膜晶体管基板的制造的情况下，虽然控制像素的驱动电流的驱动用薄膜晶体管与用于选择像素而控制驱动用薄膜晶体管的栅极电压的选择用薄膜晶体管原本所要求的电气特性有所差异，但由于上述理由，而不得不使各薄膜晶体管的电气特性共通化。

因此，目前通过配合驱动用薄膜晶体管所要求的电气特性，以流通较大电流的方式增加激光的照射光量(能量)，促进结晶成长，并提升电子移动度的条件来进行激光退火处理。因此，会使得选择用薄膜晶体管的OFF泄漏电流增加，存在无法将驱动用薄膜晶体管的栅极电压保持为恒定的问题。

发明内容

因此，本发明应对这样的问题点，其目的在于，提供一种能够以一次的激光退火处理工序来制造电气特性不同的多个薄膜晶体管的激光退火方法、激光退火装置及薄膜晶体管基板。

用于解决问题的技术方案

为了实现上述目的，本发明的第一方面提供一种激光退火方法，对被覆于基板上的非晶硅膜照射激光而使其结晶化，其中，对所述基板上的多个薄膜晶体管形成部照射不同的照射光量的激光，将所述多个薄膜晶体管形成部的所述非晶硅膜结晶化为不同的结晶状态的多晶硅膜。

另外，本发明的第二方面提供一种激光退火方法，对被覆于基板上的非晶硅膜照射激光而使其结晶化，其中，在搬送所述基板的同时对所述基板上的第一及第二薄膜晶体管形成部照射不同的照射光量的激光，将所述第一及第二薄膜晶体管形成部的所述非晶硅膜结晶化为不同的结晶状态的多晶硅膜。

进而，本发明的第三方面提供一种激光退火装置，对被覆于基板上的非晶硅膜照射激光而使其结晶化，其中，具备：搬送单元，其搬送所述基板；遮光掩模，其与所述搬送单元的搬送面相向而配置，与所述基板上的第一及第二薄膜晶体管形成部对应地设置多个掩模图案；投影光学系统，其设置于所述遮光掩模的所述搬送单元侧，将多个所述掩模图案成像于所述基板上，所述遮光掩模在与所述基板的搬送方向交叉的方向、或所述基板的搬送方向及与所述搬送方向同一方向交叉的方向并排具有多个所述掩模图案，对所述第一及第二薄膜晶体管形成部照射不同的照射光量的激光，并以对应于所述第二薄膜晶体管形成部的掩模图案的透射光量比对应于所述第一薄膜晶体管形成部的掩模图案的透射光量小的方式进行调整，以使所述第一及第二薄膜晶体管形成部的所述非晶硅膜结晶化为不同的结晶状态的多晶硅膜。