[发明专利]激光退火方法、激光退火装置及薄膜晶体管基板

权利要求书

1.一种激光退火方法，对被覆于基板上的非晶硅膜照射激光而使其结晶化，其特征在于，

对所述基板上的多个薄膜晶体管形成部照射不同的照射光量的激光，从而将所述多个薄膜晶体管形成部的所述非晶硅膜结晶化为不同的结晶状态的多晶硅膜。

2.一种激光退火方法，对被覆于基板上的非晶硅膜照射激光而使其结晶化，其特征在于，

在搬送所述基板的同时对所述基板上的第一及第二薄膜晶体管形成部照射不同的照射光量的激光，从而将所述第一及第二薄膜晶体管形成部的所述非晶硅膜结晶化为不同的结晶状态的多晶硅膜。

3.如权利要求2所述的激光退火方法，其特征在于，

所述第一及第二薄膜晶体管形成部的所述非晶硅膜的结晶化，通过经由沿与所述基板的搬送方向交叉的方向并排而设置于遮光掩模的多个掩模图案的激光的一次照射而完成。

4.如权利要求2所述的激光退火方法，其特征在于，

所述第一及第二薄膜晶体管形成部的所述非晶硅膜的结晶化，通过经由沿所述基板的搬送方向及与该所述搬送方向同一方向交叉的方向并排而设置于遮光掩模的多个掩模图案中的、沿所述基板的搬送方向并排的多个所述掩模图案的激光的多重照射而实施。

5.如权利要求3或4所述的激光退火方法，其特征在于，

对于所述第一及第二薄膜晶体管形成部的所述激光的不同的照射光量，以多个所述掩模图案中、与所述第二薄膜晶体管形成部对应的掩模图案的透射光量比与所述第一薄膜晶体管形成部对应的掩模图案的透射光量小的方式进行调整而得到。

6.如权利要求4所述的激光退火方法，其特征在于，

对于所述第一及第二薄膜晶体管形成部的所述激光的不同的照射光量，以多个所述掩模图案中、与所述第二薄膜晶体管形成部相对应地沿所述基板的搬送方向并排的多个所述掩模图案的个数比与所述第一薄膜晶体管形成部对应地沿所述搬送方向同一方向设置的多个所述掩模图案的个数少的方式进行调整而得到。

7.如权利要求3或4所述的激光退火方法，其特征在于，

所述激光对所述基板的照射经由与多个所述掩模图案个别地对应地设置于所述遮光掩模的所述基板侧的多个微透镜来进行。

8.如权利要求3或4所述的激光退火方法，其特征在于，

所述激光对所述基板的照射经由将多个所述掩模图案缩小投影至所述基板上的投影透镜来进行。

9.一种激光退火装置，对被覆于基板上的非晶硅膜照射激光而使其结晶化，其特征在于，具备：

搬送单元，其搬送所述基板；

遮光掩模，其与所述搬送单元的搬送面相向而配置，与所述基板上的第一及第二薄膜晶体管形成部对应地设置有多个掩模图案；

投影光学系统，其设置于所述遮光掩模的所述搬送单元侧，将多个所述掩模图案成像于所述基板上，

所述遮光掩模在与所述基板的搬送方向交叉的方向、或所述基板的搬送方向及与所述搬送方向同一方向交叉的方向并排具有多个所述掩模图案，对所述第一及第二薄膜晶体管形成部照射不同的照射光量的激光，并以对应于所述第二薄膜晶体管形成部的掩模图案的透射光量比对应于所述第一薄膜晶体管形成部的掩模图案的透射光量小的方式进行调整，以使所述第一及第二薄膜晶体管形成部的所述非晶硅膜结晶化为不同的结晶状态的多晶硅膜。