[发明专利]用于去除衬底上的光敏材料的方法在审
申请号: | 201680082291.0 | 申请日: | 2016-12-22 |
公开(公告)号: | CN108700815A | 公开(公告)日: | 2018-10-23 |
发明(设计)人: | C·W·J·贝伦德森;G·纳吉布奥格鲁;D·D·J·A·范索姆恩;G·里斯朋斯;J·F·M·贝克尔斯;T·J·A·伦克斯 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F7/16 | 分类号: | G03F7/16;G03F7/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王静 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 去除 光敏材料层 光敏材料 厚度轮廓 粗糙边缘 厚度变化 遗留 外边缘 横跨 | ||
本发明提供了一种处理衬底的方法,包括:提供衬底,所述衬底在所述衬底的表面上具有光敏材料层;和从光敏材料层的外边缘周围去除光敏材料,并控制所述去除以在衬底的表面上遗留的光敏材料层周围产生具有径向宽度的边缘,其中所述光敏材料的厚度变化,形成横跨径向宽度的厚度轮廓,并且所述去除被控制以产生厚度轮廓沿着所述边缘的长度的变化,和/或其中所述去除被控制以在衬底的表面上遗留的光敏材料层周围产生粗糙边缘。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2015年12月23日提交的欧洲申请15202291.9和2016年2月4日提交的欧洲申请16154256.8的优先权,这些欧洲申请的全部内容以引用的方式并入本文中。
技术领域
本公开涉及用于从衬底的外部边缘周围去除光敏材料的方法和设备。
背景技术
光刻设备是一种将所期望的图案施加到衬底(通常是在衬底的目标部分上)上的机器。例如,光刻设备可以用于集成电路(IC)的制造中。在这种情况下,用于形成图案的装置,例如掩模或掩模版,可以生成要在IC的单层上形成的电路图案。可以将该图案转印到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括管芯的一部分、一个或更多个管芯)上。通常,通过将图案成像到设置在衬底上的光敏材料(抗蚀剂)层上进行图案的转印。转印可以通过光刻设备中的投影系统而发生。通常,单个衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。常规的光刻设备包括所谓的步进器和所谓的扫描器,在步进器中,通过将整个图案一次曝光到目标部分上来辐射每个目标部分;在扫描器中,通过辐射束沿给定方向(“扫描器”方向)扫描图案,同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步扫描衬底来辐射每个目标部分。
在所谓的浸没式光刻设备中,提供具有相对高折射率的浸没液体(例如水)以填充投影系统的最终元件和衬底之间的空间。这样做的目的是实现较小特征的成像,因为曝光辐射在浸没液体中具有较短的波长。浸没液体的作用也可以被认为是增加系统的有效数值孔径(NA)并且还增加了焦深。
光敏材料可以以任何方式(例如通过旋涂)被施加到衬底上。这包括将液态光敏材料施加在待被辐射的衬底的表面上并使衬底围绕其轴旋转以使液态光敏材料经受离心力。该力使光敏材料在衬底的表面上展开并在表面上形成薄的均匀层。然而,在旋转过程之后,可能在衬底的边缘处形成相对厚的光敏材料环。其他也可能产生厚环的方法包括喷涂、浸涂、喷墨印刷等。厚环通常称为晶边(edge bead)。晶边可能导致缺陷,例如,由于衬底处理的交叉污染。因此,期望在处理之前去除晶边以减少可能导致光刻设备的良率降低和可用性降低的误差。这样,可以去除衬底边缘处的光敏材料,例如通过使用喷嘴以均匀的方式去除衬底边缘周围的光敏材料。
在浸没式光刻设备中,液体限制结构(诸如流体处理结构,浸没罩,喷嘴构件等)将浸没液体限制在浸没空间中,衬底的表面(遗留的光敏材料位于所述表面上)相对于浸没空间移动。当衬底的表面相对于浸没液体移动时,衬底的表面上的任何变化或不规则性可以用作弯液面钉扎特征。特别地,在传统的晶边去除过程之后,衬底的表面和/或在衬底的表面上遗留的光敏材料的边缘可以在浸没液体在光敏材料的边缘之上穿过时用作弯液面钉扎特征。这意味着当衬底和/或光敏材料的边缘远离液体限制结构移动时,衬底的表面和液体限制结构之间的浸没液体的弯液面被拉伸。在衬底和/或光敏材料的边缘移动一定距离之后,弯液面最终会破裂并且浸没液体留在衬底的表面上,从而导致在衬底上产生能够导致缺陷的液滴,例如,水印。因此,遗留的液滴可能导致光敏材料的表面上的误差,这会降低良率。
发明内容
本发明的目的是避免或减少由于在衬底的表面上的光敏材料层的边缘导致的水损失所产生的缺陷,例如,形成水印。
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