[发明专利]半导体装置以及用于制造这种半导体装置的方法

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，包括下列制造步骤：

(a)提供宽带隙衬底产品(10)，其具有在所述半导体装置中形成漂移层(2)的第一导电类型的低掺杂层，所述衬底产品(10)具有第一侧(12)以及与所述第一侧(12)相反的第二侧(14)，其中所述低掺杂层布置在所述第一侧(12)上，

(b)然后在所述第一侧(12)上的所述宽带隙衬底产品中形成一直到源区深度(30)的所述第一导电类型的两个源区(3、3’)、与所述第一导电类型不同的第二导电类型的两个沟道层(4、4’)以及所述第二导电类型的至少一个阱层(5、5’)，所述第一导电类型的两个源区(3、3’)具有比所述漂移层(2)更高的掺杂浓度，

与所述第一导电类型不同的所述第二导电类型的两个沟道层(4、4’)具有沟道层深度(40)，并且在横向方向上包围所述两个源区(3、3’)，所述横向方向与所述第一侧(12)平行，由此将所述两个源区(3、3’)与所述漂移层(2)在横向方向上分隔，

所述第二导电类型的至少一个阱层(5、5’)具有与所述沟道层深度(40)至少同样大的阱层深度(50)，并且具有比至少一个所述沟道层(4、4’)更高的掺杂浓度，其中所述至少一个阱层(5、5’)将所述两个源区(3、3’)与所述至少一个阱层的与所述第一侧(12)相反的侧上的所述漂移层(2)分隔，

其中，首先施加具有开口的第一掩模(42)，

然后通过将所述第二导电类型的第一掺杂剂(41)一直施加到所述沟道层深度(40)，来形成所述两个沟道层(4、4’)，

然后在所述第一掩模(42)的横向侧上施加另外层，通过所述另外层缩窄所述开口，由此形成第二掩模(32)，

然后通过将所述第一导电类型的第二掺杂剂(31)一直施加到所述源区深度(30)，来形成所述两个源区(3、3’)，其中，所述沟道层深度(40)与所述源区深度(30)至少同样大，

然后去除所述第二掩模(32)的、布置在所述两个源区(3、3’)之间的这种部分，由此形成第三掩模(52)，

然后通过将所述第二导电类型的第三掺杂剂(51)一直施加到所述阱层深度(50)，来形成所述至少一个阱层(5、5’)，

(c)在步骤(b)之后，施加第四掩模，其至少覆盖所述两个源区(3、3’)和所述两个沟道层(4、4’)，

然后通过施加所述第二导电类型的第四掺杂剂来形成插塞(6)，其具有与所述阱层深度(50)至少同样深的插塞深度(60)并且具有比所述至少一个阱层(5、5’)更高的掺杂浓度，

(d)在步骤(c)之后，在所述第一侧(12)上形成两个栅极电极(7)，其中的每个通过绝缘层与任何掺杂层分隔，

(e)在步骤(c)之后，在所述第一侧(12)上形成作为欧姆接触的第一主电极(9)，其至少接触所述两个源区(3、3’)和所述插塞(6)。

2.如权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，

在步骤(c)中，施加所述第四掩模，使得所述第四掩模覆盖所述阱层(5、5’)的与所述两个源区(3、3’)邻接的部分，使得所述至少一个阱层(5、5’)在所述横向方向上包围所述插塞(6)，并且使得所述至少一个阱层(5、5’)将所述插塞(6)与所述两个源区(3、3’)分隔。

3.如权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，

在步骤(c)中，形成具有是所述至少一个阱层(5、5’)的所述掺杂浓度的至少10倍的掺杂浓度的所述插塞(6)。

4.如权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，

在步骤(c)中，形成具有处于所述至少一个阱层(5、5’)的所述掺杂浓度的10倍与100倍之间的掺杂浓度的所述插塞(6)。

5.如权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，

在步骤(b)中，形成具有是所述两个沟道层(4、4’)的所述掺杂浓度的至少10倍的掺杂浓度的所述至少一个阱层(5、5’)。