[发明专利]光致抗蚀剂成分浓度测定装置及浓度测定方法有效
| 申请号: | 201680079908.3 | 申请日: | 2016-12-26 |
| 公开(公告)号: | CN108604534B | 公开(公告)日: | 2022-06-21 |
| 发明(设计)人: | 岛田和哉;西川晴香;鬼头佑典 | 申请(专利权)人: | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G01N23/223;G03F7/42 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 光致抗蚀剂 成分 浓度 测定 装置 方法 | ||
循环使用的光致抗蚀剂剥离液的溶解光致抗蚀剂经时地增加并变性,因此基于吸光度的浓度测定存在偏离标准曲线的问题。一种光致抗蚀剂成分浓度测定装置,其特征在于,具备指定包含在光致抗蚀剂中但不包含在光致抗蚀剂剥离原液中的元素、并测定其指定的指定元素在光致抗蚀剂剥离液中的浓度的测定单元。
技术领域
本发明涉及用于测定光刻中所用的光致抗蚀剂剥离液中的光致抗蚀剂浓度的光致抗蚀剂成分浓度测定装置及浓度测定方法。
背景技术
IC、LSI等中,随着半导体元件的高集成化和芯片尺寸的缩小化,布线电路的微细化及多层化正在进展。另外,不仅这样的微小部件、在液晶显示器等FPD(平板显示器,FlatPanel Display)中在像素的形成中也需要微小的布线电路。为了制作这样的微小布线电路,需要光刻技术。
在光刻中,形成用于成为布线电路的材料膜,并在该膜上涂布光致抗蚀剂。然后,使光致抗蚀剂以与布线相应的图案感光并去除后,对材料膜进行蚀刻。最后去除光致抗蚀剂。在正型光致抗蚀剂中,为了将感光后的光致抗蚀剂去除,使用光致抗蚀剂剥离液。
光致抗蚀剂剥离液由于进行某种程度的重复使用,因此光致抗蚀剂浓度会逐渐增高。重复使用光致抗蚀剂剥离液是经济上的问题。另外,光致抗蚀剂浓度提高一定程度时停止使用在制品的品质上会有问题。
即,光致抗蚀剂剥离液需要在使用的正当中监控光致抗蚀剂浓度,若变为规定的浓度以上,则将全部或一部分更换。
对于光致抗蚀剂剥离液中的光致抗蚀剂浓度的测定,考虑了一些方法。在进行大量生产的工厂中,需要能够在短时间内以一定程度的精度确定光致抗蚀剂浓度的方法。
专利文献1中公开了根据吸光度求出光致抗蚀剂剥离液中的光致抗蚀剂浓度的方法。该方法中,利用随着光致抗蚀剂剥离液中的光致抗蚀剂浓度的上升而吸光度变高的现象。即,预先求出事先光致抗蚀剂浓度已知的光致抗蚀剂剥离液的吸光度,将其制成标准曲线来确定光致抗蚀剂浓度。
但是,在基于吸光度的浓度测定中,存在即使光致抗蚀剂浓度恒定,光致抗蚀剂剥离液的吸光度也随时间推移而变化的问题。认为这是因为,溶解于光致抗蚀剂剥离液中的光致抗蚀剂逐渐分解为低分子,吸光光谱的峰向低波长侧偏移。
另外,基于吸光度的浓度测定中重要的是被测定物的温度管理。
在实际的制造工艺中,在数周内边补充光致抗蚀剂剥离液边继续生产。即,具有各种各样吸光光谱的、溶解了的光致抗蚀剂的分解成分混杂在光致抗蚀剂剥离液中。这样,可以说专利文献1的方法难以测定准确的光致抗蚀剂浓度。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平07-235487号公报
发明内容
专利文献1为使用吸光度的方法。溶解于光致抗蚀剂剥离液中的光致抗蚀剂逐渐分解为低分子,吸光光谱的峰向低波长侧偏移。其结果,具有各种各样吸光光谱的、光致抗蚀剂成分的分子混杂在光致抗蚀剂剥离液中。
其结果,存在如下课题:通过使用吸光度的方法预先求出的标准曲线随着时间推移而变得无法利用,缺少准确性,无法准确地把握溶解于光致抗蚀剂剥离液中的光致抗蚀剂浓度。另外还有如下问题:光致抗蚀剂剥离液的光致抗蚀剂成分分解,从而色调发生变化,在浓度测定中产生误差。
本发明用于解决这样的现有问题,其目的在于,提供即使溶解于光致抗蚀剂剥离液中的光致抗蚀剂逐渐分解为低分子,也能够准确、精度良好地测定溶解于光致抗蚀剂剥离液中的光致抗蚀剂浓度的、光致抗蚀剂成分浓度测定装置、及光致抗蚀剂成分浓度测定方法。
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