[发明专利]用于在真空腔室中传送基板载体的设备、用于真空处理基板的系统、及用于在真空腔室中传送基板载体的方法

说明书

提供一种用于在真空腔室(102)中传送基板载体(10)的设备(100)。设备(100)包括：第一轨道(110)，提供基板载体(10)的第一传送路径(T1)；以及传送装置(200)，被配置为用于从第一轨道(110)上的第一位置无接触地移动基板载体(10)至远离第一轨道(100)的一或多个第二位置。所述一或多个第二位置包括在第二轨道(120)上的位置和用于处理基板(2)的处理位置中的至少一者。传送装置(200)包括至少一个第一磁体装置(210)，至少一个第一磁体装置(210)被配置为提供作用于基板载体(10)上的磁力(F)，以从第一位置无接触地移动基板载体(10)至一或多个第二位置。

技术领域

本公开内容的实施方式涉及一种用于在真空腔室中传送基板载体的设备、一种用于真空处理基板的系统以及一种用于在真空腔室中传送基板载体的方法。本公开内容的实施方式特别涉及用于基板载体的轨道改变的溅射沉积设备及方法。

背景技术

用于在基板上进行层沉积的技术包括例如溅射沉积、热蒸发及化学气相沉积(CVD)。溅射沉积工艺可用于在基板上沉积材料层，诸如绝缘材料层。在处理系统中传送基板期间，基板载体可被用来支撑基板。为了沉积多层堆叠，可使用串连(in-line)布置的处理模块。串连处理系统包括一些连续的处理模块，诸如沉积模块及选择性的其他处理模块，例如清洁模块和/或蚀刻模块，其中多个处理方面在一个接着另一个的处理模块中进行，使得可由串连处理系统连续地或准连续地处理多个基板。

可使用传送系统在串连处理系统中传送基板载体，传送系统被配置为用于沿着一或多个传送路径运送其上具有基板位置的基板载体。可提供至少两个传送路径，使得例如当第二基板正在进行涂布时，具有位于其上的第一基板的第一基板载体可超过(overtake)在第二基板载体上的第二基板。传送系统可具有滚轴，滚轴被配置为例如沿着传送路径和/或从一个传送路径至另一个传送路径(轨道改变)支撑及运送基板载体。传送产生影响串连处理系统中的真空条件的颗粒。颗粒可能污染沉积于基板上的层，且沉积层的品质可能下降。

鉴于上述情况，对减少或甚至避免真空腔室中颗粒产生的用于在真空腔室中传送基板载体的新的设备、用于真空处理基板的系统及用于在真空腔室中传送基板载体的方法是有需求的。对在真空腔室中的至少两个轨道之间提供简便的轨道交换的新的设备、系统及方法亦是有需求的。

发明内容

鉴于上述情况，提供一种用于在真空腔室中传送基板载体的设备、一种用于真空处理基板的系统以及一种用于在真空腔室中传送基板载体的方法。本公开内容的其他方面、优点及特征从权利要求书、说明书及附图而显而易见。

根据本公开内容的一方面，提供一种用于在真空腔室中传送基板载体的设备。所述设备包括：第一轨道，提供基板载体的第一传送路径；以及传送装置，被配置为用于从第一轨道上的第一位置无接触地移动基板载体至远离第一轨道的一或多个第二位置。一或多个第二位置包括在第二轨道上的位置和用于处理基板的处理位置中的至少一者。传送装置包括至少一个第一磁体装置，至少一个第一磁体装置被配置为提供作用于基板载体上的磁力，以从第一位置无接触地移动基板载体至一或多个第二位置。

根据本公开内容的另一方面，提供一种用于真空处理基板的系统。所述系统包括真空腔室和根据本文描述的实施方式的用于传送基板载体的设备。所述系统进一步包括沿着第一轨道和第二轨道的至少一者布置的一或多个处理工具，其中所述一或多个处理工具选自由以下项组成的群组：溅射源、表面处理工具、加热装置、清洁装置、蚀刻工具、及上述项的任何组合。

根据本公开内容的再另一方面，提供一种用于在真空腔室中传送基板载体的方法。所述方法包括：提供作用于基板载体上的排斥磁力；以及从提供基板载体的第一传送路径的第一轨道上的第一位置无接触地移动基板载体至远离第一轨道的第二位置，其中第二位置是在第二轨道上的位置和用于处理基板的处理位置中的至少一者。