[发明专利]用于在真空腔室中传送基板载体的设备、用于真空处理基板的系统、及用于在真空腔室中传送基板载体的方法有效
申请号: | 201680079106.2 | 申请日: | 2016-01-18 |
公开(公告)号: | CN108475654B | 公开(公告)日: | 2022-06-07 |
发明(设计)人: | 西蒙·刘;沃尔夫冈·布什贝克 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 空腔 传送 载体 设备 真空 处理 系统 方法 | ||
1.一种用于在真空腔室(102)中传送基板载体(10)的设备(100),包括:
第一轨道(110),所述第一轨道(110)提供所述基板载体(10)的第一传送路径(T1);以及
传送装置(200),所述传送装置(200)被配置为用于从所述第一轨道(110)上的第一位置无接触地移动所述基板载体(10)至远离所述第一轨道(110)的一或多个第二位置;
其中所述一或多个第二位置包括在第二轨道(120)上的位置和用于处理基板(2)的处理位置中的至少一者,且其中所述传送装置(200)包括:
至少一个第一磁体装置(210),所述至少一个第一磁体装置(210)被配置为提供作用于所述基板载体(10)上的磁力,以从所述第一位置无接触地移动所述基板载体(10)至所述一或多个第二位置,其中所述至少一个第一磁体装置(210)能朝向所述一或多个第二位置移动以从所述第一位置无接触地移动所述基板载体(10)至所述一或多个第二位置。
2.如权利要求1所述的设备(100),其中所述传送装置(200)被配置为用于在与所述第一传送路径(T1)的方向不同的方向中无接触地移动所述基板载体(10)。
3.如权利要求2所述的设备(100),其中所述传送装置(200)被配置为用于在垂直于所述第一传送路径(T1)的方向中无接触地移动所述基板载体(10)。
4.如权利要求1至3的任一项所述的设备(100),其中所述至少一个第一磁体装置(210)被配置为提供作用于所述基板载体(10)上的排斥磁力,以从所述第一位置推动所述基板载体(10)至所述一或多个第二位置。
5.如权利要求1至3的任一项所述的设备(100),其中所述第二轨道(120)提供第二传送路径(T2),所述第二传送路径(T2)平行于所述第一传送路径(T1)。
6.如权利要求1至3的任一项所述的设备(100),其中所述传送装置(200)进一步被配置为在沿着所述第一轨道(110)或所述第二轨道(120)传送所述基板载体(10)期间,无接触地导引所述基板载体(10)的至少一部分。
7.如权利要求1至3的任一项所述的设备(100),其中所述至少一个第一磁体装置(210)包括:
一或多个第一磁体单元(212、612),所述一或多个第一磁体单元(212、612)被配置为产生第一磁场;以及
一或多个第二磁体单元(214、614),所述一或多个第二磁体单元(214、614)被配置为产生第二磁场,所述第二磁场不同于所述第一磁场。
8.如权利要求7所述的设备(100),其中所述设备(100)被配置为调整所述第一磁场和所述第二磁场的至少一个磁场,以提供作用于所述基板载体(10)上的力。
9.如权利要求7所述的设备(100),其中所述设备(100)被配置为调整所述第一磁场和所述第二磁场的至少一个磁场,以将所述基板载体(10)保持在与所述至少一个第一磁体装置(210)相距预定距离处。
10.如权利要求9所述的设备(100),其中所述一或多个第一磁体单元(212、612)是永久磁体,且所述一或多个第二磁体单元(214、614)是电磁体,或者其中所述一或多个第一磁体单元(212、612)是电磁体,且所述一或多个第二磁体单元(214、614)是永久磁体。
11.如权利要求10所述的设备(100),其中所述设备(100)被配置为通过启动或停止所述一或多个第一磁体单元(212、612)或所述一或多个第二磁体单元(214、614)的至少一个电磁体来改变所述第一磁场和所述第二磁场的至少一个磁场。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造