[发明专利]用于传输半导体组件的系统与方法有效

专利信息
申请号: 201680078729.8 申请日: 2016-12-23
公开(公告)号: CN108701638B 公开(公告)日: 2023-06-20
发明(设计)人: 赛普里安·艾曼卡·巫卓;保罗·M·恩奎斯特;小盖乌斯·吉尔曼·方腾 申请(专利权)人: 艾德亚半导体接合科技有限公司
主分类号: H01L21/683 分类号: H01L21/683;H01L21/687
代理公司: 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 代理人: 林柳岑
地址: 美国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 传输 半导体 组件 系统 方法
【权利要求书】:

1.一种用于将组件安装于支撑结构上的方法,所述方法包括:

在衬底经单粒化以形成多个经单粒化组件之后收纳所述多个经单粒化组件;

提供薄膜;

放置所述多个经单粒化组件以由所述薄膜支撑,所述多个经单粒化组件安置为沿所述薄膜的表面彼此邻近;

邻近所述支撑结构定位所述薄膜,使得所述薄膜的所述表面面向所述支撑结构的支撑表面,所述支撑结构包括封装结构;

相对于所述支撑结构选择性地侧向定位所述薄膜,使得选定第一组件与所述支撑结构的第一位置对准;以及

在不平行于所述薄膜的所述表面的方向上施加力,以使得所述选定第一组件从所述薄膜直接转移到所述支撑结构,使得所述选定第一组件从所述薄膜移除。

2.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括将所述薄膜上的衬底单粒化以界定所述多个经单粒化组件。

3.根据权利要求1或2所述的方法,其中所述多个经单粒化组件包括多个经单粒化集成装置裸片,所述方法进一步包括从所述多个经单粒化集成装置裸片选择第一已知良品裸片,所述第一已知良品裸片具有适当起作用的电特性,选定第一裸片包括所述第一已知良品裸片。

4.根据权利要求1或2所述的方法,其进一步包括在平行于所述薄膜的所述表面的侧向方向上调整所述薄膜或所述支撑结构,以将所述选定第一组件与所述第一位置对准。

5.根据权利要求1或2所述的方法,其中所述支撑结构包括芯片或芯片堆叠、裸片或裸片堆叠、重构芯片、面板、重构面板、印刷电路板、内插器、玻璃衬底、塑料衬底或陶瓷衬底。

6.根据权利要求1或2所述的方法,其中所述支撑结构不包括粘合剂层。

7.根据权利要求1或2所述的方法,其中所述支撑结构包括粘合薄片。

8.根据权利要求1或2所述的方法,其中所述支撑结构包括封装衬底。

9.根据权利要求1或2所述的方法,所述选定第一组件包括第一裸片,所述第一裸片包括形成在所述第一裸片中的接触垫和位于所述接触垫上方的钝化层,其中没有外部接触凸块安置在所述接触垫上。

10.根据权利要求1或2所述的方法,其中所述薄膜包括附接到所述多个经单粒化组件的背面且通过框架支撑的粘合薄片。

11.根据权利要求10所述的方法,其中施加所述力包括将所述力施加到在所述选定第一组件正对面的所述薄膜的背面。

12.根据权利要求11所述的方法,其中施加所述力包括在所述背面的局部区域中将所述力施加到所述薄膜的所述背面,以便仅使所述选定第一组件转移到所述支撑结构。

13.根据权利要求11所述的方法,其中施加所述力包括将流体引导到所述薄膜的所述背面上。

14.根据权利要求13所述的方法,其中引导所述流体包括使高速的气体向所述薄膜的所述背面流动。

15.根据权利要求13所述的方法,其中施加到所述薄膜的所述背面上的所述流体的温度高于50℃。

16.根据权利要求14所述的方法,其中使所述气体的流动包括通过多个喷嘴将所述气体引导到所述薄膜的所述背面上。

17.根据权利要求1或2所述的方法,其进一步包括使所述选定第一组件的中心区域弯曲,以便在所述选定第一组件的其它区域的前接触所述支撑结构。

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