[发明专利]制造用于光刻设备的表膜的方法、用于光刻设备的表膜、光刻设备、器件制造方法、用于处理表膜的设备和用于处理表膜的方法

说明书

披露了制造用于光刻设备的表膜的方法。在一种配置中，该方法包括将至少一个石墨烯层(2)沉积在衬底(6)的平坦表面(4)上。该衬底包括第一衬底部分和第二衬底部分(12)。该方法还包括移除第一衬底部分，以便由所述至少一个石墨烯层形成独立隔膜(14)。该独立隔膜由第二衬底部分支撑。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2015年10月22日提交的欧洲申请15191052.8、于2016年2月22日提交的欧洲申请16156637.7、于2016年5月19日提交的欧洲申请16170384.8以及于2016年9月1日提交的欧洲申请16186851.8的优选权，这些欧洲申请的全部内容以引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明涉及制造用于光刻设备的表膜的方法、用于光刻设备的表膜、光刻设备和器件制造方法。

背景技术

光刻设备是将所需的图案施加到衬底上(通常施加到衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可以用于例如制造集成电路(IC)。在这种情况下，可以将可替代地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成要在集成电路的单层上形成的电路图案。可以将该图案转移至衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括管芯的一部分、一个或更多个管芯)上。通常，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行图案的转移。通常，单个衬底将包含被连续产生图案的相邻目标部分的网络。

光刻被广泛地认为是制造IC以及其它器件和/或结构的关键步骤之一。然而，随着使用光刻术制造的特征的尺寸变得越来越小，光刻术正在变成能够制造小型IC或其它器件和/或结构的更为关键的因素。

图案印刷的极限的理论估计可以由瑞利(Rayleigh)分辨率准则给出，如等式(1)所示：

其中，λ是所使用辐射的波长，NA是用于印刷图案的投影系统的数值孔径，k₁是过程依赖调节因子(也称为瑞利常数)，并且CD是所印刷的特征的特征尺寸(或临界尺寸)。根据等式(1)，可以通过下述三种方式来获得特征的最小可印刷尺寸的缩减：通过缩短曝光波长λ，通过增大数值孔径NA，或者通过减小k₁的值。

为了缩短曝光波长并因此缩减最小可印刷尺寸，已经提出了使用极紫外(EUV)辐射源。EUV辐射是具有在10-20nm的范围内(例如在13-14nm的范围内)的波长的电磁辐射。已经进一步提出可以使用具有小于10nm(例如在5-10nm的范围内，诸如6.7nm或6.8nm)的波长的EUV辐射。这种幅射被称为极紫外辐射或软X射线辐射。可能的源包括例如激光产生的等离子体源、放电等离子体源、或基于由电子储存环提供的同步加速器辐射的源。

光刻设备包括图案形成装置(例如掩模或掩模版)。辐射通过图案形成装置或从图案形成装置反射而被提供，以便在衬底上形成图像。可以提供表膜以保护图案形成装置免受空浮颗粒和其它形式的污染的影响。图案形成装置的表面上的污染可能造成衬底上的制造缺陷。

也可以提供表膜以用于保护除图案形成装置之外的光学元件。也可以使用表膜以在光刻设备的彼此密封的区域之间提供用于光刻辐射的通道。也可以使用表膜作为滤波器。

表膜可以包括独立石墨烯隔膜。掩模组件可以包括保护图案形成装置(例如掩模)免受粒子污染的表膜。表膜可以由表膜框架支撑，从而形成表膜组件。表膜可以例如通过将表膜边界区域胶合到框架而附接至该框架。该框架可以永久性地或者以可解除的方式附接至图案形成装置。可以通过使石墨烯薄膜在液体的表面上浮动和将该薄膜收集到硅框架上而形成独立石墨烯隔膜。这样形成的石墨烯隔膜的品质已经被发现是可变的且难以控制的。此外，难以可靠地生产较大的石墨烯隔膜。

已经发现的是，包括独立石墨烯隔膜的表膜的使用期限是有限的。

期望改善使用独立石墨烯隔膜来制造表膜的方法中的一致性和控制，改善可靠地使用独立石墨烯隔膜生产较大表膜的能力，或者改善表膜的使用期限。