[发明专利]制造用于光刻设备的表膜的方法、用于光刻设备的表膜、光刻设备、器件制造方法、用于处理表膜的设备和用于处理表膜的方法

权利要求书

1.一种制造用于光刻设备的表膜的方法，包括：

将至少一个石墨烯层沉积在衬底的平坦表面上，其中，所述衬底包括第一衬底部分和第二衬底部分；和

移除所述第一衬底部分，以便由所述至少一个石墨烯层形成独立隔膜，所述独立隔膜由所述第二衬底部分支撑；

其中，在垂直于所述衬底的平坦表面的方向上观察时，在所述独立隔膜外部的所述至少一个石墨烯层的一部分上设置有控制层，所述控制层能够用于控制所述独立隔膜中的张力。

2.如权利要求1所述的方法，其中，在垂直于所述衬底的平坦表面的方向上观察时，所述第一衬底部分被所述第二衬底部分环绕。

3.如权利要求1所述的方法，其中，所述独立隔膜对于波长为13.5nm的辐射的透明度为至少80％。

4.如权利要求1-3中任一项所述的方法，其中，在垂直于衬底的平坦表面的方向上观察时，所述独立隔膜具有至少1mm²的表面积。

5.如权利要求1-3中任一项所述的方法，其中，所述至少一个石墨烯层包括多个石墨烯层。

6.如权利要求1-3中任一项所述的方法，其中，所述独立隔膜包括所述至少一个石墨烯层的一部分和在所述至少一个石墨烯层的上表面或下表面上的至少一个附加层。

7.如权利要求1-3中任一项所述的方法，其中，在移除所述第一衬底部分期间，在包括所述至少一个石墨烯层和所述衬底的叠层的至少前表面和侧表面上涂覆包封层或牺牲层。

8.如权利要求1-3中任一项所述的方法，其中，通过选择性蚀刻所述衬底而移除所述第一衬底部分。

9.如权利要求1-3中任一项所述的方法，其中，使用化学气相沉积来沉积所述至少一个石墨烯层。

10.如权利要求1-3中任一项所述的方法，其中，

所述衬底包括基础层和石墨烯支撑层；

所述至少一个石墨烯层沉积在所述石墨烯支撑层上。

11.如权利要求10所述的方法，其中，所述石墨烯支撑层包括以下物质中的一种或多种：Mo、Ni、Ru、Pt、Cu、Ti、V、Zr、Nb、Hf、Ta、W、Cr、硅化钼、硅化镍、硅化钌、硅化铂、硅化铜、硅化钛、硅化钒、硅化锆、硅化铌、硅化铪、硅化钽、硅化钨、硅化铬、钼的碳化物、镍的碳化物、钌的碳化物、铂的碳化物、铜的碳化物、钛的碳化物、钒的碳化物、锆的碳化物、铌的碳化物、铪的碳化物、钽的碳化物、钨的碳化物、铬的碳化物。

12.如权利要求10所述的方法，其中，

包括所述至少一个石墨烯层和所述衬底的叠层包括包封层或牺牲层，该包封层或牺牲层在移除所述第一衬底部分期间涂覆在所述叠层的至少前表面和侧表面上；并且

在形成所述包封层或牺牲层之后形成所述石墨烯支撑层。

13.如权利要求12所述的方法，其中，使用LPCVD形成所述包封层或牺牲层，并且所述石墨烯支撑层包括Mo或硅化钼。

14.如权利要求10所述的方法，其中，移除所述第一衬底部分以形成所述独立隔膜包括使用气相蚀刻工艺移除所述石墨烯支撑层的一部分的步骤。

15.如权利要求1-3中任一项所述的方法，其中，

所述衬底包括基础层和第一石墨烯支撑层；

所述至少一个石墨烯层被沉积在所述第一石墨烯支撑层上；并且

第二石墨烯支撑层被沉积在所述至少一个石墨烯层上。

16.如权利要求15所述的方法，其中，所述第一石墨烯支撑层和所述第二石墨烯支撑层具有相同的成分。