[发明专利]用于VHF-RF PVD腔室中的预涂覆的屏蔽物

说明书

本公开内容的实施方式涉及用于在处理腔室中使用的改良的屏蔽物。在一个实施方式中，所述屏蔽物包括具有圆柱形状的中空主体和形成在主体的内表面上的涂覆层，所述圆柱形状大致上关于所述主体的中心轴对称。涂覆层由与在所述处理腔室中使用的溅射靶相同的材料形成。屏蔽物通过减少屏蔽物与溅射靶之间的发弧而有利地减少使用RF‑PVD沉积的膜中的颗粒污染物。发弧因屏蔽物的内表面上存在涂覆层而减少。

技术领域

本公开内容的实施方式大体涉及用于在处理腔室中使用的屏蔽物。

背景技术

在目前的射频物理气相沉积(RF-PVD)腔室中，接地屏蔽物通常被安装到PVD腔室的主体并延伸经过大部分的腔室侧壁，腔室侧壁围绕基座与溅射靶之间的处理空间。屏蔽物防止从靶溅射的过量材料污染RF-PVD腔室的其余部分。发明人已经观察到，等离子体与屏蔽物之间的电位差将导致等离子体内的正离子朝向接地屏蔽物加速。包含屏蔽物的材料(例如铝)可能由于离子轰击而剥落并且污染基板表面。当使用较高RF功率和较高压力时，铝污染物的量变得更多。

因此，需要一种改良的屏蔽物。

发明内容

本文描述一种用于在物理气相沉积处理腔室中使用的屏蔽物。在一个实例中，所述屏蔽物包括具有圆柱形状的中空主体，所述圆柱形状大致上关于中空主体的中心轴对称。所述主体具有内表面和外表面。涂覆层形成在主体的内表面上。涂覆层由金属、金属氧化物、金属合金或磁性材料制成。

在另一实施方式中，提供一种用于在物理气相沉积处理腔室中使用的屏蔽物。所述屏蔽物包括延长的圆柱形主体，所述延长的圆柱形主体经构造以围绕在溅射靶与基板支撑件之间的处理空间并且保护处理腔室的侧壁免于沉积。所述主体由铝制成。涂覆层形成在延长的圆柱形主体的内表面上，其中涂覆层包含钴或钴合金。

在又一实施方式中，提供一种用于处理在物理气相沉积处理腔室中使用的屏蔽物的方法。屏蔽物包括延长的圆柱形主体，延长的圆柱形主体经构造以保护处理腔室的侧壁免于沉积。所述方法包括在所述主体的内表面上沉积涂覆层。涂覆层由金属、金属氧化物、金属合金或磁性材料制成。

附图说明

可参照附图描绘的本公开内容的说明性实施方式来理解以上简要概述和以下更详细论述的本公开内容的实施方式。然而，应注意，附图仅图示本公开内容的典型实施方式，因此不应将附图视为对本公开内容的范围的限制，因为本公开内容可认可其他同等有效的实施方式。

图1描绘具有预涂覆的屏蔽物的物理气相沉积腔室的示意性横截面图。

图2描绘图1所绘的预涂覆的屏蔽物的一部分的示意性横截面图。

图3描绘一种用于处理屏蔽物的方法。

为了便于理解，已尽可能使用相同的参考数字来指称附图共有的相同的元件。附图未按比例绘制，并且为了清楚起见可被简化。设想可将一个实施方式的元件和特征有益地并入其他实施方式中而无需进一步详述。

具体实施方式

本公开内容涉及用于在处理腔室中使用的预涂覆的屏蔽物。改良的屏蔽物通过减少屏蔽物与溅射靶之间的发弧而有利地减少使用RF-PVD沉积的膜中的颗粒污染物。发弧因屏蔽物的内表面上存在涂覆层而减少。涂覆层由与溅射靶相同的材料形成。

图1描绘具有预涂覆的屏蔽物160的物理气相沉积腔室(处理腔室100) 的示意性横截面图。PVD腔室的结构是说明性的，具有其他结构的PVD腔室或其他工艺腔室也可从依据本文提供的教示的修改中受益。可适于从本公开内容受益的合适的PVD腔室的实例包括可从美国加利福尼亚州圣克拉拉的应用材料公司(Applied Materials,Inc.,of SantaClara,California)购得的PVD 处理腔室的或系列中的任一个。来自应用材料公司或其他制造商的其他处理腔室也可从本文公开的公开内容的实施方式中受益。