[发明专利]用于VHF-RF PVD腔室中的预涂覆的屏蔽物

权利要求书

1.一种在物理气相沉积处理腔室中使用的屏蔽物，包含：

中空主体，具有圆柱形状，所述圆柱形状大体上关于所述中空主体的中心轴对称，所述主体具有内表面和外表面；和

涂覆层，形成在所述主体的所述内表面上，所述涂覆层包含金属、金属氧化物、金属合金或磁性材料。

2.如权利要求1所述的屏蔽物，其中所述涂覆层由钴、硅化钴、镍、硅化镍、铂、钨、硅化钨、氮化钨、碳化钨、铜、铬、钽、氮化钽、碳化钽、钛、氧化钛、氮化钛、镧、锌、上述材料的合金、上述材料的硅化物、上述材料的衍生物、或上述材料的任意组合形成。

3.如权利要求1所述的屏蔽物，其中所述涂覆层由钴或钴合金形成。

4.如权利要求1所述的屏蔽物，其中所述主体由铝、不锈钢、氧化铝、氮化铝、或陶瓷、或上述材料的任意组合形成。

5.如权利要求4所述的屏蔽物，其中所述主体由铝形成，并且所述涂覆层由钴或钴合金形成。

6.如权利要求1所述的屏蔽物，其中所述涂覆层具有约2μm至约35μm的厚度。

7.一种在物理气相沉积处理腔室中使用的屏蔽物，所述屏蔽物包含延长的圆柱形主体，所述延长的圆柱形主体经构造以围绕在溅射靶与基板支撑件之间的处理空间并且保护所述处理腔室的侧壁免于沉积，而且所述主体由铝制成，其中的改良包含：

涂覆层，形成在所述延长的圆柱形主体的内表面上，其中所述涂覆层包含钴或钴合金。

8.如权利要求7所述的屏蔽物，其中所述涂覆层由与所述溅射靶相同的材料形成。

9.如权利要求7所述的屏蔽物，其中所述涂覆层具有约2μm至约35μm的厚度，并且所述涂覆层具有约80μin至约500μin的平均表面粗糙度。

10.如权利要求7所述的屏蔽物，其中所述主体包含：

第一环状腿；

第二环状腿，所述第二环状腿比所述第一环状腿相对更短；和

水平腿，在所述第一环状腿的下部将所述第二环状腿连接到所述第一环状腿，

其中所述第一环状腿的外表面没有所述涂覆层。

11.一种用于处理在物理气相沉积处理腔室中使用的屏蔽物的方法，所述屏蔽物包含延长的圆柱形主体，所述延长的圆柱形主体经构造以保护所述处理腔室的侧壁免于沉积，所述方法包含以下步骤：

在所述主体的内表面上沉积涂覆层，所述涂覆层包含金属、金属氧化物、金属合金或磁性材料。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述主体由铝、不锈钢、氧化铝、氮化铝、或陶瓷、或上述材料的任意组合形成。

13.如权利要求11所述的方法，其中所述涂覆层由包含钴、硅化钴、镍、硅化镍、铂、钨、硅化钨、氮化钨、碳化钨、铜、铬、钽、氮化钽、碳化钽、钛、氧化钛、氮化钛、镧、锌、上述材料的合金、上述材料的硅化物、上述材料的衍生物、或上述材料的任意组合的材料形成。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述涂覆层由钴或钴合金形成。

15.如权利要求14所述的方法，进一步包含以下步骤：

通过磨料喷射工艺将所述涂覆层粗糙化；和。