[发明专利]有机膜组合物以及形成图案的方法

说明书

本发明揭示一种有机膜组合物及使用所述有机膜组合物形成图案的方法，有机膜组合物包含有包含由化学式1表示的结构单元的聚合物、由化学式2表示的添加剂以及溶剂。化学式1及化学式2与实施方式中所定义相同。本发明的有机膜组合物能够改良间隙填充特征及平面化特征以及抗蚀刻性。

技术领域

本发明涉及一种有机膜组合物及使用所述有机膜组合物形成图案的方法。

背景技术

近来，根据电子装置的小型化(miniaturation)和复杂性(complexity)的高度整合设计已经加快先进材料及其相关工艺的发展，且因此，使用熟知光刻胶的微影也需要新颖图案化材料及技术。

在图案化工艺中，称为硬掩膜层(hardmask layer)的有机层可形成为硬夹层以将光刻胶的精细图案转移至基板上的足够深度处而不导致所述图案崩塌。

硬掩膜层发挥间层的作用以经由选择性蚀刻工艺将光刻胶的精细图案转移至材料层。因此，硬掩膜层需要诸如耐热性、抗蚀刻性及其类似特征的特征以经受多蚀刻工艺。

另一方面，近年来已表明旋涂式涂布法(spin-on coating)可替代化学气相沉积法以形成硬掩膜层。旋涂式涂布法不仅可容易执行而且会改良间隙填充(gap-fill)特征及平坦化特征。

一般而言，因为耐热性及抗蚀刻性与旋涂特征具有折衷关系，故需要满足所有特征的有机层材料。

发明内容

技术问题

一个实施例提供能够改良间隙填充特征及平面化特征以及抗蚀刻性的有机膜组合物。

另一实施例提供一种使用有机膜组合物形成图案的方法。

技术方案

根据一实施例，有机膜组合物包含有包含由化学式1表示的结构单元的聚合物、由化学式2表示的添加剂以及溶剂。

[化学式1]

在化学式1中，

A¹为经取代或未经取代的二价环基或经取代或未经取代的二价杂环基，

B¹为二价有机基团，且

*为连接点：

[化学式2]

在化学式2中，

k、m以及n独立地为0或1，且k、m以及n的总和为2或3，

当k+m+n为3时，X为-CH-或氮(N)，

当k+m+n为2时，X为直接键、-(C_qH_2q)-、-(C_tR^w_2t)-、氧(O)、硫(S)或-S(O₂)-，其中q及t独立地为1至5的整数，且R^w为经取代或未经取代的C1至C20烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C3至C30环烯基、经取代或未经取代的C1至C20烷胺基、经取代或未经取代的C7至C20芳基烷基、经取代或未经取代的C1至C20杂烷基、经取代或未经取代的C2至C30杂环烷基、经取代或未经取代的C2至C30杂芳基、经取代或未经取代的C1至C4烷基醚基、经取代或未经取代的C7至C20芳基亚烷基醚基、经取代或未经取代的C1至C30卤烷基、经取代或未经取代的C2至C20烯基或其组合，且

R、R'及R独立地为氢、羟基、经取代或未经取代的C3至C30单价环基、经取代或未经取代的C1至C30单价直链基团或其组合。