[发明专利]使用静电夹盘夹持及解夹持基板的方法及装置在审
申请号: | 201680072132.2 | 申请日: | 2016-12-05 |
公开(公告)号: | CN108369921A | 公开(公告)日: | 2018-08-03 |
发明(设计)人: | Z·J·叶;塙广二;J·C·罗查-阿尔瓦雷斯;P·曼纳;M·W·蒋;A·高;王文佼;林永景;P·K·库尔施拉希萨;韩新海;金柏涵;K·D·李;K·T·纳拉辛哈;段子青;D·帕德希 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H05H1/46;H01J49/10;H01L21/687 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 汪骏飞;侯颖媖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电路 陶瓷主体 上表面 静电夹盘 电极 基板支撑组件 夹紧电路 圆柱侧壁 下表面 真空处理腔室 处理基板 夹持基板 支撑基板 电连接 电耦合 上碟形 夹持 界定 配置 | ||
1.一种基板支撑组件,包含:
实质上碟形的陶瓷主体,所述陶瓷主体具有上表面、圆柱侧壁以及下表面,所述上表面经配置以在真空处理腔室中在所述上表面上支撑基板,所述圆柱侧壁界定所述陶瓷主体的外直径,所述下表面与所述上表面相对地设置;
电极,所述电极设置于所述陶瓷主体中;以及
主电路,所述主电路电连接至所述电极并经配置以向所述电极提供夹紧电压,所述主电路包含:
DC夹紧电路;
第一RF驱动电路;以及
第二RF驱动电路,其中所述DC夹紧电路、所述第一RF驱动电路以及所述第二RF驱动电路一起与所述电极电耦合。
2.如权利要求1所述的基板支撑组件,其中所述主电路进一步包含:
第三RF负载电路。
3.如权利要求1所述的基板支撑组件,其中所述第一RF驱动电路包含:
高通滤波器;以及
RF驱动器。
4.如权利要求3所述的基板支撑组件,其中所述第二RF驱动电路可操作为以约2MHz提供RF功率,且所述第一RF驱动电路可操作为以约13.56MHz提供RF功率。
5.一种处理腔室,包含:
主体,所述主体具有围绕内部体积的壁与盖;以及
基板支撑组件,所述基板支撑组件在所述内部体积中设置在所述盖上,所述基板支撑组件包含:
实质上碟形的陶瓷主体,所述陶瓷主体具有上表面、圆柱侧壁以及下表面,所述上表面经配置以在真空处理腔室中在所述上表面上支撑基板,所述圆柱侧壁界定所述陶瓷主体的外直径,所述下表面与所述上表面相对地设置;
底部电极,所述底部电极设置于所述陶瓷主体中;以及
主电路,所述主电路电连接至所述底部电极,所述电路包含:
DC夹紧电路;
第一RF驱动电路;以及
第二RF驱动电路,其中所述DC夹紧电路、所述第一RF驱动电路以及所述第二RF驱动电路一起与所述电极电耦合。
6.如权利要求5所述的处理腔室,其中所述顶部电极与所述底部电极形成电容耦合的等离子体产生器。
7.如权利要求6所述的处理腔室,所述处理腔室进一步包含:
用于驱动所述顶部电极的第一顶部电路。
8.如权利要求7所述的处理腔室,所述处理腔室进一步包含:
用于驱动所述顶部电极的第二顶部电路。
9.如权利要求8所述的处理腔室,其中所述第二顶部电路可操作为以约400KHz将RF功率提供至所述顶部电极,且所述第一顶部电路可操作为以约27MHz将RF功率提供至所述顶部电极。
10.如权利要求5所述的处理腔室,其中所述第二RF驱动电路可操作为以约2MHz提供RF功率,且所述第一RF驱动电路可操作为以约13.56MHz提供RF功率。
11.如权利要求10所述的处理腔室,其中所述主电路进一步包含:
第三RF负载电路。
12.如权利要求5所述的处理腔室,其中所述第一RF驱动电路包含:
高通滤波器;以及
RF驱动器。
13.一种用于构建ESC的方法,所述方法包含:
在ESC的材料块内插入金属电极,其中所述金属电极具有与所述ESC的基板支撑表面相当的尺寸,且所述金属电极实质上平行于所述基板支撑表面;以及
经由电路将所述金属电极连接至DC电源供应器,所述DC电源供应器在所述电极处提供电荷,其中来自所述电极的电荷经由所述材料转移至所述ESC的所述基板支撑表面,且其中所述电路为闭环电路系统,所述闭环电路系统经配置以将夹紧电压与电荷供应至所述金属电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造