[发明专利]使用静电夹盘夹持及解夹持基板的方法及装置在审

专利信息
申请号: 201680072132.2 申请日: 2016-12-05
公开(公告)号: CN108369921A 公开(公告)日: 2018-08-03
发明(设计)人: Z·J·叶;塙广二;J·C·罗查-阿尔瓦雷斯;P·曼纳;M·W·蒋;A·高;王文佼;林永景;P·K·库尔施拉希萨;韩新海;金柏涵;K·D·李;K·T·纳拉辛哈;段子青;D·帕德希 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: H01L21/683 分类号: H01L21/683;H05H1/46;H01J49/10;H01L21/687
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 汪骏飞;侯颖媖
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 电路 陶瓷主体 上表面 静电夹盘 电极 基板支撑组件 夹紧电路 圆柱侧壁 下表面 真空处理腔室 处理基板 夹持基板 支撑基板 电连接 电耦合 上碟形 夹持 界定 配置
【权利要求书】:

1.一种基板支撑组件,包含:

实质上碟形的陶瓷主体,所述陶瓷主体具有上表面、圆柱侧壁以及下表面,所述上表面经配置以在真空处理腔室中在所述上表面上支撑基板,所述圆柱侧壁界定所述陶瓷主体的外直径,所述下表面与所述上表面相对地设置;

电极,所述电极设置于所述陶瓷主体中;以及

主电路,所述主电路电连接至所述电极并经配置以向所述电极提供夹紧电压,所述主电路包含:

DC夹紧电路;

第一RF驱动电路;以及

第二RF驱动电路,其中所述DC夹紧电路、所述第一RF驱动电路以及所述第二RF驱动电路一起与所述电极电耦合。

2.如权利要求1所述的基板支撑组件,其中所述主电路进一步包含:

第三RF负载电路。

3.如权利要求1所述的基板支撑组件,其中所述第一RF驱动电路包含:

高通滤波器;以及

RF驱动器。

4.如权利要求3所述的基板支撑组件,其中所述第二RF驱动电路可操作为以约2MHz提供RF功率,且所述第一RF驱动电路可操作为以约13.56MHz提供RF功率。

5.一种处理腔室,包含:

主体,所述主体具有围绕内部体积的壁与盖;以及

基板支撑组件,所述基板支撑组件在所述内部体积中设置在所述盖上,所述基板支撑组件包含:

实质上碟形的陶瓷主体,所述陶瓷主体具有上表面、圆柱侧壁以及下表面,所述上表面经配置以在真空处理腔室中在所述上表面上支撑基板,所述圆柱侧壁界定所述陶瓷主体的外直径,所述下表面与所述上表面相对地设置;

底部电极,所述底部电极设置于所述陶瓷主体中;以及

主电路,所述主电路电连接至所述底部电极,所述电路包含:

DC夹紧电路;

第一RF驱动电路;以及

第二RF驱动电路,其中所述DC夹紧电路、所述第一RF驱动电路以及所述第二RF驱动电路一起与所述电极电耦合。

6.如权利要求5所述的处理腔室,其中所述顶部电极与所述底部电极形成电容耦合的等离子体产生器。

7.如权利要求6所述的处理腔室,所述处理腔室进一步包含:

用于驱动所述顶部电极的第一顶部电路。

8.如权利要求7所述的处理腔室,所述处理腔室进一步包含:

用于驱动所述顶部电极的第二顶部电路。

9.如权利要求8所述的处理腔室,其中所述第二顶部电路可操作为以约400KHz将RF功率提供至所述顶部电极,且所述第一顶部电路可操作为以约27MHz将RF功率提供至所述顶部电极。

10.如权利要求5所述的处理腔室,其中所述第二RF驱动电路可操作为以约2MHz提供RF功率,且所述第一RF驱动电路可操作为以约13.56MHz提供RF功率。

11.如权利要求10所述的处理腔室,其中所述主电路进一步包含:

第三RF负载电路。

12.如权利要求5所述的处理腔室,其中所述第一RF驱动电路包含:

高通滤波器;以及

RF驱动器。

13.一种用于构建ESC的方法,所述方法包含:

在ESC的材料块内插入金属电极,其中所述金属电极具有与所述ESC的基板支撑表面相当的尺寸,且所述金属电极实质上平行于所述基板支撑表面;以及

经由电路将所述金属电极连接至DC电源供应器,所述DC电源供应器在所述电极处提供电荷,其中来自所述电极的电荷经由所述材料转移至所述ESC的所述基板支撑表面,且其中所述电路为闭环电路系统,所述闭环电路系统经配置以将夹紧电压与电荷供应至所述金属电极。

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