[发明专利]利用图案化遮蔽膜的OLED装置制造方法

说明书

公开了用于施加膜层至基底的图案化遮蔽膜。所述图案化遮蔽膜包括基层和多个通孔。多个通孔穿透基层并限定膜层的预定图案。膜层和基层具有至少一个不同的表面润湿性特征，并且基底和膜层具有至少一个相同的润湿性特征。具体地，基底和膜层可以是亲水的，而基层可以是疏水的。可选地，基底和所述膜层可以是疏水的，而基层可以是亲水的。

技术领域

本公开涉及用于薄膜沉积的图案化遮蔽膜(patterned film mask)，并且更具体地涉及利用其制造有机发光装置的方法。

背景技术

当今，有机发光二极管(OLED)被越来越多地用于照明应用，因为其比其它常规照明源更加能量有效。OLED一般具有由位于两个电极之间的一个或多个有机层构成的堆叠结构。两个电极中的至少一个，阳极或阴极电极，由能够使OLED发出的光可见的透明传导材料形成。

用作电极的透明传导材料应具有某些性质，如低电阻率和高光透射率，以生成具有期望性能的OLED装置。氧化铟锡(ITO)，由于其在可见波长范围内的高透明度，是用于OLED应用的透明电极材料。例如，ITO常用于多种液晶显示LCD应用。然而，透明传导性氧化物，如ITO，对于挠性OLED装置而言存在问题，因为其具有脆性并且在应力下容易开裂。此外，开裂使电极的传导率降低，并且最终可使OLED退化。这个具体的缺点限制了ITO在挠性OLED中的应用。由此，ITO的替代性材料如银纳米丝或其它金属纳米丝、金属纳米颗粒、碳纳米管、PEDOT：PSS和石墨烯常被用于挠性OLED应用。这些材料具有诸如与基底的强粘附力、润湿性、和高玻璃化转变温度的优势性质，使其理想作为电极材料。

这些替代性材料已利用真空和非真空方法被应用于挠性塑料基底。虽然，真空方法已生产出具有有利性能特征的电极，但真空方法趋于昂贵、复杂和在极高工艺温度下进行，使其不如非真空方法理想用于电极形成。

在非真空方法中，电极材料最初被涂覆在塑料挠性基底的表面上。在基底上涂覆电极后，利用光刻法或激光图案化方法图案化电极。这些图案化方法是复杂的方法，并且对在形成OLED装置时可用的基底类型有所限制。某些方法，如激光照射图案化，趋于在图案化过程中损坏下方层或塑料基底。此外，用于这些图案化方法中的蚀刻溶液引起环境顾虑。

因此，需要改进的OLED和形成OLED的方法。还需要改进的施加薄膜材料至基底的方法。因此，本公开的图案化遮蔽膜和方法旨在克服当前可获得的OLED的这些缺点中的一个或多个。

发明内容

根据本公开的一方面，公开了用于施加膜层至基底的图案化遮蔽膜。该图案化遮蔽膜包括基层(base layer)和穿透基层的多个通孔。多个通孔限定了施加至基底的膜层的预定图案。膜层和基层具有至少一个不同的表面润湿性特征(surface wettabilitycharacteristic)，并且基底和膜层具有至少一个相同的表面润湿性特征。

根据本公开的一方面，公开了在基底上制造图案化膜层(patterned filmlayer)的方法。方法包括提供图案化遮蔽膜，其中图案化遮蔽膜包括基层和穿透基层的多个通孔。多个通孔限定了施加至基底的图案化膜层的预定图案。膜层和基层具有至少一个不同的表面润湿性特征，并且基底和膜层具有至少一个相同的表面润湿性特征。方法进一步包括在基底上定位图案化遮蔽膜，将膜层材料沉积在基底上和多个通孔中，和从基底移除图案化遮蔽膜。

根据本公开的再另一方面，公开了用于施加膜层至基底的图案化遮蔽膜。该图案化遮蔽膜包括基层和穿透基层的多个通孔。多个通孔限定了施加至基底的膜层的预定图案。基底和膜层可以是亲水的，并且基层可以是疏水的。

附图说明

本公开的上述和其它特征和优势及其获得方式将通过结合附图参考下文对本公开一方面的描述而变得显而易见或更好地理解，在附图中：

图1是根据本公开一方面的图案化遮蔽膜的横截面视图。