[发明专利]利用图案化遮蔽膜的OLED装置制造方法在审
申请号: | 201680070515.6 | 申请日: | 2016-11-04 |
公开(公告)号: | CN108292715A | 公开(公告)日: | 2018-07-17 |
发明(设计)人: | S·H·金;B·林 | 申请(专利权)人: | 沙特基础工业全球技术公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/00 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 王永伟;赵蓉民 |
地址: | 荷兰,贝*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 膜层 基底 图案化 遮蔽膜 基层 亲水 疏水 通孔 表面润湿性 润湿性特征 预定图案 装置制造 可选 穿透 施加 | ||
1.用于施加膜层至基底的图案化遮蔽膜,所述图案化遮蔽膜包括:基层;和穿透所述基层、限定所述膜层的预定图案的多个通孔,其中所述膜层和所述基层具有至少一个不同的表面润湿性特征,并且所述基底和所述膜层具有至少一个相同的表面润湿性特征。
2.权利要求1所述的图案化遮蔽膜,其中所述基层是疏水的,并且所述基底和所述膜层是亲水的。
3.权利要求1或2所述的图案化遮蔽膜,其中所述多个通孔通过激光划线法或冲孔法形成。
4.前述权利要求所述的图案化遮蔽膜,其中所述膜层是有机发光二极管中的电极、绝缘层或有机发射层。
5.前述权利要求所述的图案化遮蔽膜,其中所述基层包括水溶性聚合物材料。
6.前述权利要求所述的图案化遮蔽膜,进一步包括布置在所述基层的表面上的疏水层,其中所述多个通孔穿透所述疏水层和所述基层。
7.前述权利要求所述的图案化遮蔽膜,进一步包括在所述基层上形成的粘合剂层,其中所述粘合剂层被配置以将所述图案化遮蔽膜粘附至所述基底,并且所述多个通孔穿透所述粘合剂层和所述基层。
8.权利要求7所述的图案化遮蔽膜,其中所述粘合剂层具有至少一个与所述基层相同的润湿性特征。
9.权利要求7或8所述的图案化遮蔽膜,其中所述粘合剂层和所述基层是疏水的。
10.在基底上制造图案化膜层的方法,所述方法包括:
提供图案化遮蔽膜,所述图案化遮蔽膜包括基层和穿透所述基层并且限定所述图案化膜层的预定图案的多个通孔,其中所述膜层和所述基层具有至少一个不同的表面润湿性特征,并且所述基底和所述膜层具有至少一个相同的表面润湿性特征;
在所述基底上定位所述图案化遮蔽膜;
将膜层材料沉积在所述基底上和所述多个通孔中;和
从所述基底移除所述图案化遮蔽膜。
11.权利要求10所述的方法,其中所述基层和所述基底具有相反的极性,并且所述膜层和所述基底具有基本上相似的极性。
12.权利要求10或11所述的方法,其中提供图案化遮蔽膜包括用疏水表面涂层处理所述基层的表面,和形成穿透所述基层和所述疏水表面涂层的所述多个通孔。
13.权利要求10-12所述的方法,进一步包括在从所述基底移除所述图案化遮蔽膜前干燥所述膜层材料。
14.权利要求10-13所述的方法,其中所述方法在室温和大气压下进行。
15.权利要求10-14所述的方法,其中沉积所述膜层材料包括将所述膜层材料喷涂到所述基底上和所述通孔中。
16.权利要求10-15所述的方法,其中所述膜层材料包括银或铝。
17.权利要求10-16所述的方法,其中提供图案化遮蔽膜进一步包括在形成所述多个通孔前在所述基层上施加粘合剂层,其中所述多个通孔穿透所述粘合剂层和所述基层,并且在所述基底上定位所述图案化遮蔽膜进一步包括将所述图案化遮蔽膜粘附至所述基底。
18.权利要求10-17所述的方法,其中提供遮蔽膜进一步包括提供基层,和以所述预定图案激光划线穿透所述基层的所述多个通孔。
19.权利要求10-17所述的方法,其中提供遮蔽膜进一步包括提供基层,和以所述预定图案冲孔穿透所述基层的所述多个通孔。
20.用于施加膜层至基底的图案化遮蔽膜,所述图案化遮蔽膜包括:基层;和穿透所述基层、限定所述膜层的预定图案的多个通孔,其中所述基底和所述膜层是亲水的,并且所述基层是疏水的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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