[发明专利]检查装置及检查方法

说明书

检查装置(1)具备：光输出部(3)，其输出具有第1波长的第1光及具有第2波长的第2光；磁光晶体(6)，其以反射膜(13)与测量对象物(D)相对的方式配置；光检测部(7)，其检测第1光及上述第2光；及导光光学系统(4A)，其将第1光及第2光向磁光晶体(6)及测量对象物(D)进行导光且将由磁光晶体(6)反射的第1光、与由测量对象物(D)反射的第2光向光检测部(7)进行导光；导光光学系统(4A)具有以第1光及第2光选择性地入射至光检测部(7)的方式切换由多个光学元件形成的光路的光路切换元件(M)。

技术领域

本发明涉及使用了光探测技术的检查装置及检查方法。

背景技术

在检查半导体器件等测量对象物的光探测技术中，将自光源出射的光照射于测量对象物，并以光传感器检测来自测量对象物的测量光(反射光)而取得检测信号。在作为光探测技术的一种的MOFM(Magneto-Optical Frequency Mapping(磁光频率映射))法中，将磁光晶体与测量对象物相对地配置，且以光传感器检测根据磁光晶体的磁光效应而偏光状态变化的反射光。在该方法中，基于在测量对象物产生的磁场的分布，进行测量对象物有无异常的检测。例如在专利文献1中，公开有一种方法，其对样品配置磁光薄膜，并以相机取得照射于磁光薄膜的直线偏光的光的反射光的图像而对样品的磁场及电流的流动进行映射。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特表2013-544352号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

在测量对象物的检查中，有对测量对象物也照射自光源出射的光，而取得测量对象物的图案(电路图案等)的情况。在该情况下，例如通过将在测量对象物产生的磁场的分布、与测量对象物的图案重叠，而容易掌握产生异常的位置。

然而，磁光晶体的偏光相对于磁场的旋转角一般具有波长依赖性。例如在入射的光的波长短于1μm的情况下，随着波长变短而偏光的旋转角变大。另一方面，也考虑对所期望的测量对象物而言优选的光的波长区域与在磁光晶体中具有高的灵敏度的波长区域不同的情况。例如在以半导体器件为测量对象物的情况下，对硅具有充分的透过性的光的波长区域为长于1μm的红外区域。若它们的波长的差变大，则有起因于光学元件的特性或光检测部的检测灵敏度的波长依赖性而使测量的精度下降的担忧。然而，若针对波长不同的光设置个别的光路，则需要多个光学元件，而有装置结构复杂化的问题。

本发明是为了解决上述技术问题而完成的，其目的在于，提供能够避免结构的复杂化且能够使测量对象物的有无异常的检测与图案的取得精度良好地兼得的检查装置及检查方法。

解决问题的技术手段

本发明的一个方面所涉及的检查装置是进行测量对象物的检查的检查装置，具备：光输出部，其输出具有第1波长的第1光、及具有与第1波长不同的第2波长的第2光；磁光晶体，其具有反射第1光的反射面，且以该反射面与测量对象物相对的方式配置；光检测部，其检测第1光及第2光；及导光光学系统，其由多个光学元件构成，并将第1光及第2光朝向磁光晶体及测量对象物进行导光，且将以磁光晶体反射的第1光、与以测量对象物反射的第2光朝向光检测部进行导光；导光光学系统具有以第1光及第2光选择性地入射至光检测部的方式，切换由多个光学元件形成的光路的光路切换元件。

在该检查装置中，基于以磁光晶体反射的第1光的检测结果而检测测量对象物有无异常，且可基于以测量对象物反射的第2光的检测结果而取得测量对象物的图案。对第1光及第2光进行导光的导光光学系统具有选择性地使第1光及第2光入射至光检测部的光路切换元件。通过该光路切换元件，在导光光学系统使用具有适于第1波长及第2波长的波长依赖性的光学元件，另一方面可将形成第1光的光路的光学元件、与形成第2光的光路的光学元件在一部分共通化。因此，能够避免结构的复杂化且可使测量对象物的有无异常的检测与图案的取得精度良好地兼得。