[发明专利]用于封装至少一个半导体构件的方法和半导体装置

说明书

本发明涉及一种用于封装至少一个半导体构件(12)的方法，所述方法具有以下步骤：通过至少能化学或物理溶解的牺牲材料(16)遮盖所述至少一个半导体构件(12)的至少一个部分表面(14)，通过可光学去除的封装材料(28)至少部分地包围所述至少一个半导体构件(12)，至少部分通过借助于光束至少穿过所述封装材料(28)地形成至少一个沟槽(30)使在所述至少一个半导体构件(12)的所述至少一个部分表面(14)上的所述牺牲材料(16)露出，并且，至少部分地通过借助于化学的或物理的去除方法至少部分地移除之前露出的所述牺牲材料(16)使所述至少一个半导体构件(12)的所述至少一个部分表面(14)露出，针对该去除方法所述封装材料(28)与所述牺牲材料(16)相比具有更高的抗性。本发明也涉及一种相应制造的半导体装置。

技术领域

本发明涉及一种用于封装至少一个半导体构件的方法。此外，本发明涉及一种半导体装置。

背景技术

在DE 10 2010 064 108 A1中说明一种用于封装传感器芯片的方法和一种如此制造的构件。在用于封装传感器芯片的所述方法的实施方式中，传感器芯片装配在载体的装配面上。随后载体在传感器芯片的装配面旁边的区域中设有金属化部。紧接着形成从金属化部延伸至传感器芯片的敏感区域的(可激光结构化的)聚合物层，该聚合物层预给定之后的介质入口的部分区段。然后传感器芯片至少部分地嵌入到模具材料中。最后，介质入口的剩余区段通过模具材料和聚合物层的激光结构化产生，其中，金属化部用作为停止层。

发明内容

本发明提出一种用于封装至少一个半导体构件的方法和一种半导体装置。

所述方法具有以下步骤：

通过至少能化学或物理溶解的牺牲材料遮盖所述至少一个半导体构件的至少一个部分表面；

通过可光学去除的封装材料至少部分地包围所述至少一个半导体构件，其中，通过所述封装材料也至少包围在所述至少一个半导体构件的所述至少一个部分表面上的所述牺牲材料；

至少部分通过借助于光束至少穿过所述封装材料地形成至少一个沟槽使在所述至少一个半导体构件的所述至少一个部分表面上的所述牺牲材料露出，其中，至少将所述封装材料区域式地光学去除；并且

至少部分地通过借助于化学的或物理的去除方法至少部分地移除之前露出的所述牺牲材料使所述至少一个半导体构件的所述至少一个部分表面露出，针对该去除方法所述封装材料与所述牺牲材料相比具有更高的抗性。

所述半导体装置包括：

半导体构件，该半导体构件部分地由可光学去除的封装材料包围；

其中，所述半导体构件的至少一个部分表面借助于至少延伸穿过所述封装材料的至少一个沟槽露出；

其中，所述至少一个沟槽分别具有由所述封装材料形成的、具有光去除痕迹的、邻接于所述封装材料的外边界面的至少一个第一沟槽壁面和部分由所述封装材料组成并且形成有填料去除痕迹、蚀刻剩余和/或造型效果的至少一个第二沟槽壁面，所述至少一个第二沟槽壁面与相同沟槽的所述至少一个第一沟槽壁面相比更靠近所配属的部分表面，并且，处于所述至少一个第一沟槽壁面和所述至少一个第二沟槽壁面之间的相应的至少一个沟槽是无金属化部的。