[发明专利]用于封装至少一个半导体构件的方法和半导体装置

权利要求书

1.用于封装至少一个半导体构件(12)的方法，所述方法具有以下步骤：

通过至少能化学或物理溶解的牺牲材料(16)遮盖所述至少一个半导体构件(12)的至少一个部分表面(14)；

通过可光学去除的封装材料(28)至少部分地包围所述至少一个半导体构件(12)，其中，通过所述封装材料(28)也至少包围在所述至少一个半导体构件(12)的所述至少一个部分表面(14)上的所述牺牲材料(16)；

至少部分通过借助于光束至少穿过所述封装材料(28)地形成至少一个沟槽(30)使在所述至少一个半导体构件(12)的所述至少一个部分表面(14)上的所述牺牲材料(16)露出，其中，至少将所述封装材料(28)区域式地光学去除；并且

至少部分地通过借助于化学的或物理的去除方法至少部分地移除之前露出的所述牺牲材料(16)使所述至少一个半导体构件(12)的所述至少一个部分表面(14)露出，针对该去除方法所述封装材料(28)与所述牺牲材料(16)相比具有更高的抗性，

其特征在于，

为了用至少化学或物理可溶解的所述牺牲材料(16)遮盖所述至少一个部分表面(14)，沉积由所述牺牲材料(16)组成的牺牲材料层(16a)并且在所述牺牲材料层(16a)上沉积由可光结构化材料(18)组成的可光结构化层(18a)并且将所述可光结构化层结构化，其中，由所述可光结构化层(18a)遮盖的牺牲材料层(16a)被一起结构化，并且所述牺牲材料层(16a)和所述可光结构化层(18a)的结构化如此进行，使得仅保留遮盖所述至少一个部分表面(14)的、由所述牺牲材料(16)和所述可光结构化材料(18)组成的剩余区域(16b和18b)，

其中，在所述至少一个半导体构件(12)的所述至少一个部分表面(14)上的结构化的所述牺牲材料层(16a)和所述可光结构化层(18a)由所述封装材料(28)包围；并且

在借助于光束形成所述至少一个沟槽(30)时，由所述可光结构化材料(18)组成的至少一个剩余区域(18b)也至少部分地被移除。

2.根据权利要求1所述的用于封装至少一个半导体构件(12)的方法，其中，所述至少一个沟槽(30)分别借助于所述光束构造有由所述封装材料(28)形成的、具有光去除痕迹的、邻接于所述封装材料(28)的外边界面(32)上的至少一个第一沟槽壁面(34)并且借助于所述化学的或物理的去除方法构造有至少部分由所述封装材料(28)组成并且形成有填料去除痕迹、蚀刻剩余和/或造型效果的至少一个第二沟槽壁面(36)，所述至少一个第二沟槽壁面与相同沟槽(30)的所述至少一个第一沟槽壁面(34)相比更靠近所配属的部分表面(14)，并且，其中，在所述至少一个第一沟槽壁面(34)和所述至少一个第二沟槽壁面(36)之间的相应的至少一个沟槽(30)构造为无金属化部，并且在所述至少一个第一沟槽壁面(34)和所述至少一个第二沟槽壁面(36)之间构造有所述可光结构化材料(18)的材料剩余。

3.根据权利要求2所述的用于封装至少一个半导体构件(12)的方法，其中，为了遮盖所述至少一个部分表面(14)将由所述牺牲材料(16)形成的所述牺牲材料层(16a)在所述至少一个半导体构件(12)上如此结构化，使得形成遮盖所述至少一个部分表面(14)的所述牺牲材料(16)的至少一个凹形的外面(20)和/或至少一个凸形的外面，使得至少部分由所述封装材料(28)形成的所述至少一个第二沟槽壁面(36)构造有凸形的拱曲部和/或凹形的拱曲部。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的用于封装至少一个半导体构件(12)的方法，其中，至少一个传感器构件作为所述至少一个半导体构件(12)以所述封装材料(28)封装，并且，其中，至少一个介质入口和/或至少一个测量通道作为所述至少一个沟槽(30)形成。

5.根据权利要求4所述的用于封装至少一个半导体构件(12)的方法，其中，用于检测至少一种物质的至少一种敏感材料(38)沉积在至少一个露出的部分表面(14)上。