[发明专利]自旋流磁化反转元件、磁阻效应元件及磁存储器有效
| 申请号： | 201680068794.2 | 申请日： | 2016-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN108292705B | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木智生;及川亨 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G11B5/39;H01L21/8246;H01L27/105;H01L29/82;H03B15/00 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;黄浩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 自旋 磁化 反转 元件 磁阻 效应 磁存储器 | ||
1.一种自旋流磁化反转元件，其具备：
磁化方向可变的第二铁磁性金属层；以及
自旋轨道转矩配线，其向与所述第二铁磁性金属层的法线方向交叉的方向延伸，且接合于所述第二铁磁性金属层，
所述自旋轨道转矩配线的、接合于所述第二铁磁性金属层的接合部分的自旋电阻Rs比所述第二铁磁性金属层的自旋电阻Rs大，
所述自旋电阻Rs由以下的式(1)定义，在所述式(1)中，λ为材料的自旋扩散长，ρ为材料的电阻率，A为材料的截面面积，
2.根据权利要求1所述的自旋流磁化反转元件，其中，
所述自旋轨道转矩配线具有由产生自旋流的材料构成的自旋流产生部和导电部，
自旋流产生部的一部分构成所述接合部分。
3.根据权利要求2所述的自旋流磁化反转元件，其中，
所述导电部的电阻率为所述自旋流产生部的电阻率以下。
4.根据权利要求2所述的自旋流磁化反转元件，其中，
所述自旋流产生部由选自钨、钼、铌及含有至少一种以上的这些金属的合金的材料构成。
5.根据权利要求1所述的自旋流磁化反转元件，其中，
所述自旋轨道转矩配线具有与所述第二铁磁性金属层的侧壁的一部分相接的侧壁接合部。
6.根据权利要求2所述的自旋流磁化反转元件，其中，
所述自旋轨道转矩配线具有与所述第二铁磁性金属层的侧壁的一部分相接的侧壁接合部。
7.根据权利要求3所述的自旋流磁化反转元件，其中，
所述自旋轨道转矩配线具有与所述第二铁磁性金属层的侧壁的一部分相接的侧壁接合部。
8.根据权利要求4所述的自旋流磁化反转元件，其中，
所述自旋轨道转矩配线具有与所述第二铁磁性金属层的侧壁的一部分相接的侧壁接合部。
9.一种磁阻效应元件，其具备：
权利要求1所述的自旋流磁化反转元件；
磁化方向被固定的第一铁磁性金属层；以及
被所述第一铁磁性金属层和所述第二铁磁性金属层夹持的非磁性层。
10.一种磁阻效应元件，其具备：
权利要求2所述的自旋流磁化反转元件；
磁化方向被固定的第一铁磁性金属层；以及
被所述第一铁磁性金属层和所述第二铁磁性金属层夹持的非磁性层。
11.一种磁阻效应元件，其具备：
权利要求3所述的自旋流磁化反转元件；
磁化方向被固定的第一铁磁性金属层；以及
被所述第一铁磁性金属层和所述第二铁磁性金属层夹持的非磁性层。
12.一种磁阻效应元件，其具备：
权利要求4所述的自旋流磁化反转元件；
磁化方向被固定的第一铁磁性金属层；以及
被所述第一铁磁性金属层和所述第二铁磁性金属层夹持的非磁性层。
13.一种磁阻效应元件，其具备：
权利要求5所述的自旋流磁化反转元件；
磁化方向被固定的第一铁磁性金属层；以及
被所述第一铁磁性金属层和所述第二铁磁性金属层夹持的非磁性层。
14.根据权利要求9所述的磁阻效应元件，其中，
所述第一铁磁性金属层在叠层方向上与所述第二铁磁性金属层相比位于下方。
15.根据权利要求10所述的磁阻效应元件，其中，
所述第一铁磁性金属层在叠层方向上与所述第二铁磁性金属层相比位于下方。
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