[发明专利]电子部件的制造方法、暂时固定用树脂组合物、暂时固定用树脂膜及暂时固定用树脂膜片材有效
| 申请号: | 201680068718.1 | 申请日: | 2016-11-24 |
| 公开(公告)号: | CN108292590B | 公开(公告)日: | 2022-06-07 |
| 发明(设计)人: | 牧野龙也;祖父江省吾;德安孝宽;石井学 | 申请(专利权)人: | 昭和电工材料株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/304;H01L21/683 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 白丽 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电子 部件 制造 方法 暂时 固定 树脂 组合 膜片 | ||
本发明的电子部件的制造方法具备以下工序:通过膜状的暂时固定材料将成为构成电子部件的构件的被加工体暂时固定在支撑体上的工序;对暂时固定在支撑体上的被加工体进行加工的工序;以及将经加工的被加工体从支撑体及膜状的暂时固定材料上分离的分离工序,其中,所述暂时固定用树脂组合物含有(A)反应性官能团非不均性(甲基)丙烯酸系共聚物。
技术领域
本发明涉及电子部件的制造方法,更详细地说涉及具备对使用暂时固定材料暂时固定在支撑体上的被加工体进行加工的工序的电子部件的制造方法。另外,本发明涉及制造电子部件时所使用的暂时固定用树脂组合物、暂时固定用树脂膜及暂时固定用树脂膜片材。
背景技术
电子部件的领域中,与叠置多个半导体元件而得到的被称作SIP(System inPackage,系统级封装)的封装有关的技术成长显著。SIP型封装中,为了将半导体元件多个层叠,要求半导体元件的厚度尽可能地薄。这样的半导体元件例如通过在具有一定厚度的半导体晶片中组装了集成电路之后,将通过对半导体晶片的背面进行研磨而薄化了的半导体晶片实施单片化来制作。半导体晶片的加工利用暂时固定材料将半导体晶片暂时固定在支撑体上来进行(例如参照专利文献1)。
就半导体元件的连接而言,以往引线接合法是主流,但近年来被称作TSV(硅贯穿电极)的连接方法倍受关注,被热烈地进行了探讨。制作具有贯穿电极的半导体元件时,在半导体晶片的薄化后进一步实施形成贯穿电极的加工。此时,伴有将半导体晶片加热至300℃左右的高温工艺。
另外,在经薄化的半导体晶片上对半导体芯片进行倒装片安装、从而制作晶圆级封装的方法也受到关注。倒装片安装工艺中,为了使焊料熔融,有必要加热至260℃以上。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:国际公开第2008/045669号小册子
发明内容
发明要解决的技术问题
因此,对于上述制造工序中使用的暂时固定材料,要求在半导体晶片的研磨、半导体晶片上的安装等时将支撑体与半导体晶片牢固地固定的粘接性和高温工艺中的耐热性。另一方面,对于暂时固定材料要求能够将加工后的半导体晶片从支撑体上容易地分离的剥离性。特别是要求,为了不发生对半导体芯片的损伤及翘曲问题而能够尽量在低温下将半导体晶片与支撑体分离,并且在半导体晶片上不残留暂时固定材料。
专利文献1所记载的暂时固定材料具有对于在半导体晶片上形成贯穿电极时的高温工艺及对形成了贯穿电极的半导体晶片之间进行连接时的高温工艺的耐热性不充分的倾向。当暂时固定材料的耐热性不充分时,易于发生在高温工艺中暂时固定材料发生热分解、半导体晶片从支撑体上剥落的不良情况。
还考虑到使用具有高玻璃化转变温度(Tg)的聚酰亚胺等通常耐热性优异的树脂。但是,为了易于确保加工时的平坦性而将暂时固定材料加工成膜状时,由于树脂的玻璃化转变温度高,因此在对半导体晶片与支撑体进行充分固定时必须在高温下进行贴合,有可能会对半导体晶片造成损伤。因而,对于膜状的暂时固定材料,要求即便是在低温下进行贴合也可以没有空隙地将半导体晶片上的高低差填埋、且能够将半导体晶片与支撑体充分固定的低温粘贴性。
本发明鉴于上述事实而作出,其目的在于提供能够形成具有优异的低温粘贴性及充分的耐热性、能够将半导体芯片、半导体晶片等被加工体充分固定在支撑体上、且可将加工后的被加工体容易地从支撑体及暂时固定材料上分离的膜状的暂时固定材料的暂时固定用树脂组合物,以及使用了该暂时固定用树脂组合物的暂时固定用树脂膜及暂时固定用树脂膜片材。
另外,本发明的目的在于提供使用具有充分的耐热性、能够将半导体芯片、半导体晶片等被加工体充分固定在支撑体上、且能够将加工后的被加工体从支撑体及暂时固定材料上容易地分离的膜状的暂时固定材料的电子部件的制造方法。
用于解决技术问题的手段
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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