[发明专利]半导体装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 201680067695.2 申请日: 2016-10-04
公开(公告)号: CN108352437B 公开(公告)日: 2022-01-11
发明(设计)人: 奥村圭佑;本田哲士 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: H01L35/08 分类号: H01L35/08;H01L35/34
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【说明书】:

本发明提供一种半导体装置的制造方法,其在将半导体元件以利用两片绝缘基板夹住的方式进行固定时,能够防止半导体元件发生位置偏移、倾斜。一种半导体装置的制造方法,其包括下述工序:工序A,得到在形成于第一绝缘基板的第一电极上借助第一烧结前层预粘接有半导体元件的层叠体;工序B,在工序A之后,借助在第一烧结前层的相反侧设置的第二烧结前层而将半导体元件预粘接在形成于第二绝缘基板的第二电极上,从而得到半导体装置前体;以及工序C,在工序B之后,将第一烧结前层和第二烧结前层同时加热,从而将半导体元件接合于第一电极和第二电极。

技术领域

本发明涉及热电转换模块等半导体装置的制造方法。

背景技术

以往,作为热电转换模块,存在将多个P型热电元件和N型热电元件交替排列,并将它们用两片绝缘基板夹持而固定的结构的热电转换模块(例如参照专利文献1)。绝缘基板在与热电元件对应的位置形成有电极,P型热电元件和N型热电元件依次串联地进行电连接。

专利文献1中,作为这样的热电转换模块的制造方法,记载了:对附着于绝缘基板和热电元件的软钎料镀层中的至少任一者涂布高粘合焊剂而将热电元件预固定于绝缘基板,其后进行加热,利用软钎料镀层进行软钎焊。

专利文献1中,将热电元件的一个表面预固定于一片绝缘基板的电极后,进行加热来接合。其后,将另一片绝缘基板的电极接合于热电元件的另一个表面。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开平04-10674号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而,专利文献1的方法在接合中使用了软钎料,因此,如果为了接合另一者而进行加热,则已经接合的那一者也被加热而导致软钎料再次熔融,有发生热电元件的位置偏移、倾斜的担心。

本发明是鉴于前述问题点而进行的,其目的在于,提供将半导体元件以利用两片绝缘基板夹住的方式进行固定时能够抑制半导体元件发生位置偏移、倾斜的半导体装置的制造方法。

用于解决问题的方案

本发明人等为了解决前述现有问题点而针对半导体装置的制造方法进行了研究。其结果发现:通过采用下述的构成,能够抑制半导体元件发生位置偏移、倾斜,从而完成了本发明。

即,本发明所述的半导体装置的制造方法的特征在于,其包括下述工序:

工序A,得到在形成于第一绝缘基板的第一电极上借助第一烧结前层预粘接有半导体元件的层叠体;

工序B,在前述工序A之后,借助在前述第一烧结前层的相反侧设置的第二烧结前层而将前述半导体元件预粘接在形成于第二绝缘基板的第二电极上,从而得到半导体装置前体;以及

工序C,在前述工序B之后,将前述第一烧结前层和前述第二烧结前层同时加热,将前述半导体元件接合于前述第一电极和前述第二电极。

根据前述构成,半导体元件首先呈现形成于第一绝缘基板的第一电极与形成于第二绝缘基板的第二电极进行了预粘接的状态。其后,第一烧结前层与第二烧结前层被同时加热,前述半导体元件被接合于前述第一电极和前述第二电极。换言之,通过1次加热,半导体元件与第一电极被接合且半导体元件与第二电极被接合。由于通过1次加热而完成半导体元件的双面接合,因此不会发生烧结前层的再熔融。其结果,能够抑制半导体元件发生位置偏移、倾斜。

此外,由于预粘接于第一烧结前层和第二烧结前层,因此,无需使用用于防止半导体元件颠倒的模框等。其结果,能够防止由模框摩擦等导致的半导体元件的破损。

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