[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201680067695.2 | 申请日： | 2016-10-04 |
| 公开（公告）号： | CN108352437B | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 奥村圭佑;本田哲士 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L35/08 | 分类号： | H01L35/08;H01L35/34 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，其包括下述工序：
工序A，得到在形成于第一绝缘基板的第一电极上借助第一烧结前层预粘接有半导体元件的层叠体；
工序B，在所述工序A之后，借助在所述第一烧结前层的相反侧设置的第二烧结前层而将所述半导体元件预粘接在形成于第二绝缘基板的第二电极上，从而得到半导体装置前体；以及
工序C，在所述工序B之后，将所述第一烧结前层和所述第二烧结前层同时加热，将所述半导体元件接合于所述第一电极和所述第二电极，
所述工序A包括：
工序A-1，准备具有第一绝缘基板和形成在第一绝缘基板上的第一电极的下侧基板；
工序A-2，准备在一个表面层叠有第一烧结前层、在另一个表面层叠有第二烧结前层的半导体元件；以及
工序A-3，将工序A-2中准备的半导体元件借助第一烧结前层而预粘接于所述第一电极，
所述工序A-2包括：
工序X，在半导体晶圆的一个表面层叠片状的第一烧结前层，在另一个表面层叠片状的第二烧结前层，从而得到在两面形成有烧结前层的半导体晶圆；
工序Y，将通过所述工序X得到的两面形成有烧结前层的半导体晶圆单片化。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第一烧结前层和所述第二烧结前层包含金属系化合物。
3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述半导体元件为热电元件。
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