[发明专利]用于保持基板的载体、载体在处理系统中的使用、应用载体的处理系统、及用于控制基板的温度的方法有效
申请号: | 201680063818.5 | 申请日: | 2016-11-07 |
公开(公告)号: | CN108292619B | 公开(公告)日: | 2023-02-24 |
发明(设计)人: | 西蒙·刘;格哈德·沃尔夫;莱内尔·欣特舒斯特;托马斯·沃纳·兹巴于尔 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;C23C14/50;C23C14/56;C23C16/46;C23C16/458;C23C16/54 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 保持 载体 处理 系统 中的 使用 应用 控制 温度 方法 | ||
描述一种用于保持基板的载体(100)。载体(100)包括载体主体(110)和粘附布置(120),载体主体(110)具有第一表面(111),粘附布置(120)设置于第一表面(111)上。载体主体(110)包括一或多个管道(115),一或多个管道(115)被配置为用于提供气体至粘附布置(120)中。此外,描述一种用于控制基板的温度的方法。所述方法包括提供本文描述的载体;通过一或多个管道供应气体至粘附布置中;以及提供气体至贴附于粘附布置的基板的背侧。
技术领域
本公开内容的实施方式涉及用于保持基板的载体、用于在基板上沉积材料的沉积系统以及用于控制基板的温度的方法。本公开内容的实施方式特别涉及用于在真空处理腔室中保持基板的载体、包括真空处理腔室的真空处理系统以及用于在真空处理腔室中的基板处理期间控制基板的温度的方法。
背景技术
在基板上的层沉积技术包括例如热蒸发、化学气相沉积(CVD)及物理气相沉积(PVD),物理气相沉积诸如溅射沉积。溅射沉积工艺可用于在基板上沉积材料层,诸如绝缘材料层或金属层。在溅射沉积工艺期间,用产生于等离子体区域中的离子轰击具有待沉积于基板上的靶材料的靶,以从靶的表面逐出(dislodge)靶材料的原子。被逐出的原子可在基板上形成材料层。在反应溅射沉积工艺中,被逐出的原子可与等离子体区域中的气体反应,气体例如为氮或氧,以在基板上形成靶材料的氧化物、氮化物或氮氧化物。
涂布的材料可使用于数种应用中及数种技术领域中。举例来说,涂布的材料可使用于微电子领域中,比如用于产生半导体装置。另外,用于显示器的基板可使用PVD工艺涂布。其他应用包括绝缘面板、有机发光二极管(OLED)面板、具有薄膜晶体管(TFT)的基板、滤色片或类似应用。
趋于较大且亦较薄的基板的趋势可能因例如在沉积工艺期间施加至基板的应力而导致基板的凸出(bulging)。在沉积工艺期间保持基板的支撑系统例如因将基板边缘推向基板的中心而在基板上引致凸出。凸出可能因破裂的可能性增加而接着导致问题产生。因此,对减少凸出及支撑较大且较薄的基板而没有损害或破裂存在需求。此外,对于一些应用来说,需要基板处理期间(例如材料沉积期间)的基板的热控制,以最佳化基板上沉积的层的特性。
鉴于前述情况,对提供克服本领域中的至少一些问题的在基板处理期间保持基板的载体、处理系统及用于控制处理参数的方法存在需求,所述处理参数诸如层沉积期间的基板的温度。
发明内容
鉴于上述情况,提供一种用于保持基板的载体、一种处理系统以及一种用于控制基板的温度的方法。本公开内容的其他方面、优点及特征从权利要求书、说明书及附图而显而易见。
根据本公开内容的一方面,提供一种用于保持基板的载体。载体包括:载体主体,具有第一表面;以及粘附布置,设置于第一表面上,其中载体主体包括一或多个管道,一或多个管道被配置为用于提供气体至粘附布置中。
根据本公开内容的另一方面,提供根据本文描述的任何实施方式的载体在处理系统中的使用,特别是在用于沉积材料于基板上的真空沉积系统中的使用。
根据本公开内容的再另一方面,提供一种处理系统。处理系统包括处理腔室;处理装置;以及根据本文描述的任何实施方式的载体。
根据本公开内容的另一方面,提供一种用于控制基板的温度的方法。所述方法包括提供根据本文描述的任何实施方式的载体;通过一或多个管道供应气体至粘附布置中;以及提供气体至贴附于粘附布置的基板的背侧。
实施方式还针对用于执行所公开的方法的设备,所述设备包括用于执行描述的各方法方面的设备部件。这些方法方面可通过硬件部件、由合适软件编程的计算机、两者的任何结合或任何其他方式执行。此外,根据本公开内容的实施方式还针对用于操作所描述的设备的方法。用于操作所描述的设备的方法包括用于执行设备的各功能的方法方面。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造