[发明专利]用于保持基板的载体、载体在处理系统中的使用、应用载体的处理系统、及用于控制基板的温度的方法有效
| 申请号: | 201680063818.5 | 申请日: | 2016-11-07 |
| 公开(公告)号: | CN108292619B | 公开(公告)日: | 2023-02-24 |
| 发明(设计)人: | 西蒙·刘;格哈德·沃尔夫;莱内尔·欣特舒斯特;托马斯·沃纳·兹巴于尔 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
| 主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;C23C14/50;C23C14/56;C23C16/46;C23C16/458;C23C16/54 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 保持 载体 处理 系统 中的 使用 应用 控制 温度 方法 | ||
1.一种用于垂直地保持基板(101)的载体(100),所述载体(100)包括:
-载体主体(110),具有面向待被保持的所述基板(101)的第一表面(111),和
-粘附布置(120),直接贴附于所述第一表面(111),所述粘附布置(120)包括多个丝状体(121),所述多个丝状体(121)延伸远离所述第一表面(111),并且其中所述粘附布置(120)被配置为透气的,
其中所述载体主体(110)包括一或多个管道(115),所述一或多个管道(115)被配置为用于提供气体至所述多个丝状体(121)中。
2.根据权利要求1所述的载体(100),其中所述粘附布置(120)包括干粘附材料,所述干粘附材料被配置为用于贴附所述基板(101)于所述载体主体(110)。
3.根据权利要求2所述的载体(100),其中所述干粘附材料是合成刚毛材料。
4.根据权利要求2所述的载体(100),其中所述干粘附材料是壁虎粘着物。
5.根据权利要求1所述的载体(100),其中所述一或多个管道(115)被配置为从所述载体主体(110)的第二表面(112)延伸至所述载体主体(110)的所述第一表面(111),其中所述第二表面(112)与所述第一表面(111)相对,或者其中所述一或多个管道(115)连接于气体供应管道(116),所述气体供应管道(116)被配置为导引所述气体通过所述载体主体(110)至所述一或多个管道(115)。
6.根据权利要求2所述的载体(100),其中所述一或多个管道(115)被配置为从所述载体主体(110)的第二表面(112)延伸至所述载体主体(110)的所述第一表面(111),其中所述第二表面(112)与所述第一表面(111)相对,或者其中所述一或多个管道(115)连接于气体供应管道(116),所述气体供应管道(116)被配置为导引所述气体通过所述载体主体(110)至所述一或多个管道(115)。
7.根据权利要求1所述的载体(100),其中所述粘附布置(120)被配置为具有贴附区域,所述贴附区域对应于所述基板(101)的背侧表面(101A)的至少75%。
8.根据权利要求2所述的载体(100),其中所述粘附布置(120)被配置为具有贴附区域,所述贴附区域对应于所述基板(101)的背侧表面(101A)的至少75%。
9.根据权利要求1所述的载体(100),其中所述一或多个管道(115)包括多个管道,所述多个管道以规则的方式分布于所述载体主体中。
10.根据权利要求1所述的载体(100),其中所述粘附布置(120)被配置为具有两个或更多个贴附区(122)。
11.根据权利要求10所述的载体(100),其中所述一或多个管道(115)被配置而使得所述两个或更多个贴附区(122)的每个能被提供有气体。
12.根据权利要求1至11的任一项的载体(100)在用于沉积材料于基板上的真空沉积系统中的使用。
13.一种处理系统(200),包括:
-处理腔室(210);
-处理装置(220);和
-根据权利要求1至11的任一项的载体(100)。
14.一种用于控制基板的温度的方法(300),所述方法(300)包括
-提供(310)根据权利要求1至11的任一项的载体;
-通过所述一或多个管道供应(320)气体至所述粘附布置中;以及
-提供(330)所述气体至贴附于所述粘附布置的所述基板的背侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





