[发明专利]用于从载件上拾取部件的方法和设备在审
| 申请号: | 201680063353.3 | 申请日: | 2016-02-02 |
| 公开(公告)号: | CN108352342A | 公开(公告)日: | 2018-07-31 |
| 发明(设计)人: | L.阿布贝特 | 申请(专利权)人: | 伊斯梅卡半导体控股公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/68 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张小文;邓雪萌 |
| 地址: | 瑞士拉*** | 国省代码: | 瑞士;CH |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 载件 拾取头 拾取 参考位置 拾取部件 测试 跳跃 方法和设备 部件处理 部件限定 上方移动 可操作 上支撑 移动 成功 | ||
根据本发明提供了处理载件上的部件的方法,该方法包括以下步骤:提供其上支撑有多个部件的载件;测试多个部件以识别良好部件和劣质部件,其中,良好部件是成功通过测试的那些部件并且劣质部件是未通过测试的那些部件;限定从载件待拾取的第一良好部件;将整数个部件限定为跳跃值;将可操作以从载件上拾取部件的拾取头定位在载件上的第一参考位置上方;识别在从第一参考位置开始的跳跃值内的一个或多个良好部件;使拾取头或载件移动以使拾取头定中在一个或多个良好部件中的至少一个上方;使拾取头或载件移动以使拾取头从所述一个或多个良好部件中的至少一个上方移动至限定的待拾取的第一良好部件上方,而不拾取所述一个或多个良好部件中的至少一个;使拾取头定中在待拾取的第一良好部件上方;拾取待拾取的第一良好部件。本发明进一步提供了对应的部件处理设备。
技术领域
本发明涉及一种用于从载件(诸如,晶圆)上拾取部件(诸如,晶片)的方法和设备,并且特别地涉及一种包含如下操作的方法和设备:使载件相对于拾取头移动,或者使拾取头相对于载件移动,以便使得拾取头从开始位置移动至待拾取的部件,由此使拾取头相对于沿着拾取头开始位置与待拾取的部件之间的路径定位的部件对准,以便使得在拾取头定中在待拾取的部件上方之前,拾取头相对于晶圆上的部件进行至少一次中间对准。
背景技术
晶圆上的元件由拾取头拾取。通常带有元件的晶圆被移动到定位有拾取头的拾取站中。晶圆将具有参考基准点,并且在进入拾取站时使晶圆对准以便使得参考基准点定中在拾取头下方。
在晶圆已经对准之后,使拾取头从参考基准点上方开始移动以便使得拾取头定中在待拾取的第一元件上方。
现有解决方案不能提供拾取头在待拾取的预定的第一元件上方的可靠的定中;例如,这能够是由于晶圆包括许多具有小尺寸的元件,从而使得难以将拾取头准确地定位在待拾取的单个预定的第一元件上方;尤其是在拾取头需要从其开始位置移动一大段距离至待拾取的预定的第一元件时,会出现拾取头在待拾取的预定的第一元件上方的特别不可靠的定中。因此,现有解决方案不能提供从晶圆上可靠地拾取待拾取的预定的第一元件。同样,作为在待拾取的预定的第一元件上方的不可靠定中的结果,现有解决方案也未能提供拾取头在晶圆上的待拾取的随后元件上方的可靠定中,因为拾取头的移动通常将预定的第一元件的位置用作参考位置,从该参考位置确定晶圆上的待拾取的随后元件的位置。
在一个现有解决方案中,拾取头从参考基准点上方移动以便使得其定中在待拾取的第一元件上方是基于元件的已知尺寸和晶圆上的元件之间存在的间距而实现的;例如,假定晶圆的边缘限定参考基准点,并且元件尺寸为2 mm且晶圆上的元件之间的间距为1mm,则如果待拾取的第一元件是从晶圆的最外边缘开始的第三个元件,那么系统使拾取头从晶圆的边缘开始移动7 mm(即,在第一个元件上的2 mm + 在第一个间距上的1 mm + 在第二个元件上的2 mm + 在第二个间距上的1 mm + 在待拾取的元件的第一半部上移动的1mm,以便使得拾取头相对于该元件定中),从而使得拾取头定中在待拾取的第一元件上方。
然而,拾取头从参考基准点上方移动以便使得其定中在待拾取的第一元件上方只有在位于沿着参考基准点与待拾取的第一元件之间的路径的中间元件未发生位移的情况下才会成功;如果沿着该路径的元件位移,则沿着该路径(在位移的元件与待拾取的第一元件之间)的所有元件也将位移相等的量。而且,如果沿着该路径的多于一个的中间元件位移,则将存在位移的累积,并且待拾取的第一元件的位移量将大体上等于沿着该路径的每个元件的所有位移量的总和。
相应地,由于位于沿着参考基准点与待拾取的第一元件之间的路径的中间元件的位移,所以拾取头可能没有准确地定中在待拾取的第一元件上方。
在已经拾取第一元件之后,拾取头将移动以定中在待拾取的随后元件下方;这时会出现类似的问题,因此,拾取头将没有准确地定中在待拾取的随后元件上方。
本发明的一个目标是消除与拾取系统的现有拾取方法相关联的一个或多个上述缺点。
发明内容
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





