[发明专利]显示器用玻璃基板、以及显示器用玻璃基板的制造方法

说明书

本发明涉及一种显示器用玻璃基板，其中，所述显示器用玻璃基板含有SiO₂以及Al₂O₃，所述显示器用玻璃基板的Si量之比为0.9以下，所述Si量之比为从玻璃基板的与半导体元件形成面相反侧的玻璃表面起算深度0nm～30nm范围内的Si量(原子％)的平均值对从所述玻璃表面起算的深度40μm处的Si量(原子％)之比，并且所述显示器用玻璃基板的Al量之比为1.0～7.4，所述Al量之比为从所述玻璃表面起算深度0nm～30nm范围内的Al量(原子％)的平均值对从所述玻璃表面起算的深度40μm处的Al量(原子％)之比。

技术领域

本发明涉及显示器用玻璃基板、以及显示器用玻璃基板的制造方法。

背景技术

在平板显示器(FPD)中，将通过在玻璃基板上形成透明电极、半导体元件等而得到的材料用作基板。例如，在液晶显示器(LCD)中，将通过在玻璃基板上形成透明电极、TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)等而得到的材料用作基板。

在玻璃基板上的透明电极、半导体元件等的形成在通过真空吸附将玻璃基板固定在吸附台上的状态下进行。然而，在将形成有透明电极、半导体元件等的玻璃基板从吸附台剥离时，玻璃基板发生带电，发生TFT等半导体元件的静电击穿。

为了抑制剥离带电的发生，进行如下的操作：对与吸附台接触的一侧的玻璃基板的表面进行粗糙化处理，减小玻璃基板与吸附台的接触面积。作为粗糙化处理的方法，例如已知一种利用大气压等离子体处理对玻璃基板的表面进行化学处理的方法(专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2010/128673号

发明内容

发明所要解决的课题

然而，以往的方法没有考虑玻璃基板与吸附台的功函数之差，因此无法充分抑制剥离带电的发生，有时会发生半导体元件的静电击穿。

本发明鉴于上述课题而完成，提供一种在从吸附台剥离时不易发生剥离带电的显示器用玻璃基板、以及其制造方法。

用于解决课题的手段

本发明提供一种显示器用玻璃基板，其中，所述显示器用玻璃基板含有SiO₂以及Al₂O₃，所述显示器用玻璃基板的Si量之比为0.9以下，所述Si量之比为从玻璃基板的与半导体元件形成面相反侧的玻璃表面起算的深度0nm～30nm范围内的Si量(原子％)的平均值对从所述玻璃表面起算的深度40μm处的Si量(原子％)之比，并且所述显示器用玻璃基板的Al量之比为1.0～7.4，所述Al量之比为从所述玻璃表面起算的深度0nm～30nm范围内的Al量(原子％)的平均值对从所述玻璃表面起算的深度40μm处的Al量(原子％)之比。