[发明专利]发光元件

说明书

实施例提供了一种发光元件，包括：发光结构，包括第一导电半导体层、在第一导电半导体层上的有源层以及在有源层上的第二导电半导体层；多个导体层，选择性地设置在所述第二导电半导体层上；以及反射电极，设置在导体层和第二导电半导体层上。

技术领域

实施例涉及发光元件。

背景技术

GaN和AlGaN等III-V族化合物半导体由于具有许多优点(例如宽且容易调节的带隙能量)而广泛用于光电子学、电子器件等。

特别地，借助于器件材料和薄膜生长技术的发展，使用III-V族或II-VI族化合物半导体的诸如发光二极管或激光二极管的发光元件可以实现各种颜色的光，例如红光、绿光和蓝光以及紫外光，并且还可以借助于使用荧光材料或通过组合颜色来实现具有高发光效率的白光。与现有的光源(如荧光灯和白炽灯)相比，这些发光元件具有低功耗、半永久性寿命、快速响应速度、良好安全性和环保性能的优点。

因此，发光元件的应用已经扩展到光通信装置的传输模块、可代替构成液晶显示器(LCD)装置的背光源的冷阴极荧光灯(CCFL)的发光二极管背光源，可替代荧光灯或白炽灯泡的白色发光二极管照明装置、车辆头灯和信号灯。近年来，在紫外线波长范围内发光的发光元件已被用于各种杀菌设备中。

图1是示出现有技术的发光元件的图。

在现有技术的发光元件100中，包括第一导电半导体层122、有源层124和第二导电半导体层126的发光结构120可以形成在衬底110上，透光导体层140可以设置在发光结构120上，第二电极166可以设置在透光导体层140上，并且第一电极162可以设置在第一导电半导体层122上。

发光元件100发射具有由有源层124的构成材料的固有能带所确定的能量的光，其中通过第一导电半导体层122注入的电子和通过第二导电半导体层126注入的空穴彼此相遇。从有源层124发射的光可以根据有源层124的构成材料的组成而改变。

考虑到从第二电极166到第二导电半导体层126的电流注入不良，设置了透光导体层140。透光导体层140与第二导电半导体层126紧密接触，并因此表现出优异的电流注入效率，但是可以吸收从有源层124发射的光，这可能导致发光元件100的发光效率劣化。

发明内容

【技术目的】

实施例旨在改善电流注入到发光元件中的第二导电半导体层，更具体地说，发射在紫外范围内的光的发光二极管，并且提高其发光效率。

【技术解决方案】

一个实施例提供了一种发光元件，包括：发光结构，包括第一导电半导体层、在第一导电半导体层上的有源层和在有源层上的第二导电半导体层；多个导体层，选择性地设置在第二导电半导体层上；以及反射电极，设置在导体层和第二导电半导体层上。

通过蚀刻第二导电半导体层、有源层可以和一部分第一导电半导体层来暴露第一导电半导体层的一部分，并且第一电极设置在暴露的第一导电半导体层上。

第一电极可以设置在发光结构的中心区域中。

导体层可以设置成围绕第一电极。

反射电极可以由于导体层具有不均匀的结构。

反射电极可以具有平坦的表面。

发光元件还可以包括设置在导体层和反射电极之间或者第二导电半导体层和反射电极之间的透光导体层。