[发明专利]波长变换部件的制造方法在审
| 申请号: | 201680061905.7 | 申请日: | 2016-10-12 |
| 公开(公告)号: | CN108140702A | 公开(公告)日: | 2018-06-08 |
| 发明(设计)人: | 安东民雄;古山忠仁;藤田俊辅 | 申请(专利权)人: | 日本电气硝子株式会社 |
| 主分类号: | H01L33/50 | 分类号: | H01L33/50;C03C12/00;C09K11/00;C09K11/08 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 波长变换部件 荧光体颗粒 无机纳米 制造 玻璃粉末 烧结 混合物 热劣化 热压 模具 | ||
1.一种波长变换部件的制造方法,其特征在于:通过用模具对含有玻璃粉末和无机纳米荧光体颗粒的混合物进行热压而进行烧结。
2.如权利要求1所述的波长变换部件的制造方法,其特征在于:
将混合物进行加热干燥后,进行热压。
3.如权利要求1所述的波长变换部件的制造方法,其特征在于:
将玻璃粉末进行加热干燥后,将其与无机纳米荧光体颗粒混合而获得混合物。
4.如权利要求2或3所述的波长变换部件的制造方法,其特征在于:加热干燥时的温度为50~200℃。
5.如权利要求1~4中任一项所述的波长变换部件的制造方法,其特征在于:热压时的压力为10kPa/cm2以上。
6.如权利要求1~5中任一项所述的波长变换部件的制造方法,其特征在于:在400℃以下进行热压。
7.如权利要求1~6中任一项所述的波长变换部件的制造方法,其特征在于:热压的时间为0.1~10分钟。
8.如权利要求1~7中任一项所述的波长变换部件的制造方法,其特征在于:玻璃粉末的屈服点为380℃以下。
9.如权利要求1~8所述的波长变换部件的制造方法,其特征在于:玻璃粉末为Sn-P系玻璃。
10.如权利要求9所述的波长变换部件的制造方法,其特征在于:
以摩尔%计,Sn-P系玻璃粉末含有SnO 50~80%、P2O5 15~25%、ZrO2 0~3%、Al2O30~10%、B2O3 0~10%、Li2O 0~10%、Na2O 0~10%、K2O 0~10%、Li2O+Na2O+K2O 0~10%、MgO 0~10%、CaO 0~3%、SrO 0~2.5%、BaO 0~2%、MgO+CaO+SrO+BaO 0~11%和ZrO2+Al2O3+MgO 0~10%,SnO/P2O5为1.6~4.8,其中,不包括P2O5为25%的情况。
11.如权利要求1~8中任一项所述的波长变换部件的制造方法,其特征在于:玻璃粉末为Sn-P-F系玻璃粉末。
12.如权利要求11所述的波长变换部件的制造方法,其特征在于:
Sn-P-F系玻璃粉末中,以阳离子%计,含有Sn2+10~90%、P5+10~70%,以阴离子%计,含有O2-30~99.9%、F-0.1~70%。
13.如权利要求1~12中任一项所述的波长变换部件的制造方法,其特征在于:玻璃粉末的平均粒径为0.1~100μm。
14.如权利要求1~13中任一项所述的波长变换部件的制造方法,其特征在于:
无机纳米荧光体颗粒为包括选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、InP、GaN、GaAs、GaP、AlN、AlP、AlSb、InN、InAs和InSb中的至少一种或它们的两种以上的复合体的量子点荧光体。
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