[发明专利]用单独的字线和擦除栅形成闪存存储器的方法

权利要求书

1.一种形成非易失性存储器单元的方法，包括：

在第一导电类型的衬底中形成第二导电类型的间隔开的第一区和第二区，将沟道区限定在其间；

形成设置在所述沟道区的第一部分上方且与所述第一部分绝缘并且位于所述第一区的一部分上方的浮栅，其中所述浮栅包括设置在所述第一区上方的锋利边缘；

在所述锋利边缘周围形成隧道氧化物层；

将擦除栅形成在所述第一区上方并且与所述第一区绝缘，其中所述擦除栅包括面向所述锋利边缘的凹口，并且其中所述凹口通过所述隧道氧化物层与所述锋利边缘绝缘；以及

形成设置在所述沟道区的与所述第二区相邻的第二部分上方且与所述第二部分绝缘的字线栅，其中在所述隧道氧化物层的所述形成以及所述擦除栅的所述形成之后执行所述字线栅的所述形成，

其中所述浮栅的所述形成包括：

将导电层形成在所述衬底上方并且与所述衬底绝缘；

将绝缘材料块形成在所述导电层上；以及

在上表面到达所述绝缘材料块时，氧化所述导电层的所述上表面，使所述上表面向上倾斜。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

将沟槽形成到所述衬底中；以及

用延伸出所述沟槽且在所述衬底的表面之上的第一绝缘材料填充所述沟槽，其中在所述导电层的所述形成之前执行所述沟槽的所述形成和所述沟槽的所述填充。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述浮栅的所述形成还包括：

在所述氧化之前，在所述导电层的所述上表面和所述第一绝缘材料的上表面上执行化学机械抛光，使得所述导电层和所述第一绝缘材料的所述上表面是平面的；以及

移除所述第一绝缘材料的上部部分并且用第二绝缘材料替换所述第一绝缘材料的上部部分。

4.根据权利要求3所述的方法，还包括：

在所述氧化之后将所述第二绝缘材料以及所述第一绝缘材料的上部部分蚀刻掉。

5.根据权利要求2所述的方法，其中所述浮栅的所述形成还包括：

在所述氧化之前，移除所述导电层的在所述第一绝缘材料上方的一部分，并且用第二绝缘材料替换所述导电层的在所述第一绝缘材料上方的一部分。

6.根据权利要求5所述的方法，还包括：

在所述氧化之后将所述第二绝缘材料以及所述第一绝缘材料的上部部分蚀刻掉。

7.根据权利要求2所述的方法，其中所述浮栅的所述形成还包括：

在所述氧化之前在所述导电层的设置在所述第一绝缘材料上方的一部分上形成绝缘材料块。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括：

在所述氧化之后，蚀刻掉所述绝缘材料块、所述导电层的在所述第一绝缘材料上方的一部分、以及所述第一绝缘材料的上部部分。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述浮栅的所述形成还包括：

沿所述擦除栅的侧壁并且在所述导电层上形成绝缘间隔物；以及

执行邻近所述绝缘间隔物的所述导电层的蚀刻。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述字线栅的所述形成包括：

形成第二导电层，所述第二导电层具有设置在所述沟道区的所述第二部分上方并且与所述第二部分绝缘的第一部分，以及设置在所述擦除栅上方并且与所述擦除栅绝缘的第二部分；以及

移除所述第二导电层的所述第二部分。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述字线栅的所述形成还包括：

将绝缘间隔物形成在所述第二导电层的所述第一部分上方；以及

移除所述第二导电层的所述第一部分的不设置在所述绝缘间隔物之下的一部分。

12.根据权利要求10所述的方法，其中在所述字线栅的所述形成之后执行所述第二区的所述形成。