[发明专利]具有高动态范围校准的RF/MM波峰检测器

权利要求书

1.一种用于操作集成电路中的基于二极管的毫米波峰值电压检测器PVD的方法，所述方法包括：

在所述峰值电压检测器上执行电流-电压扫掠，以确定直流DC系数；

测量PVD响应于高频射频RF信号而产生的峰值电压，以产生第一测得电压；

使用校准数据确定交流AC系数，其中所述校准数据通过用所述峰值电压检测器上的测试信号执行交流电AC校准而产生；以及

通过使用所述DC系数和所述AC系数调整所述第一测得电压来计算所述RF信号的近似功率。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含：

测量所述峰值电压检测器响应于静态输入而产生的第二峰值电压，以产生第二测得电压；以及

将所述第二测得电压从所述第一测得电压减去，以产生双重取样的测得电压；

其中所述双重取样的测得电压代替所述第一测得电压用于计算所述RF信号的所述近似功率。

3.根据权利要求2所述的方法，其中测量所述第二峰值电压仅在所述第一测得电压低于阈值时执行。

4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含测量表示所述峰值电压检测器的温度，以及将所述测得温度连同所述DC系数一起存储；

其中仅在当前温度与所存储的温度相差超过某一范围值时，执行所述电流-电压扫掠，否则只要所述温度保持在所述所存储的温度的所述范围值内，就使用所述所存储的DC系数。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述范围值是10C。

6.根据权利要求1所述的方法，其中执行所述AC校准测试的每一测试点包含：

将具有已知频率和已知电力电平的测试射频RF信号提供到所述峰值电压检测器；

测量所得峰值电压；

计算校准系数，其使所述峰值电压与所述测试RF信号相关；以及

将所述校准系数存储在所述集成电路上的非易失性存储器位置中。

7.一种用于操作集成电路的方法，所述方法包括：

在集成电路IC上提供多个基于二极管的毫米波峰值电压检测器PVD；

在所述多个PVD中的一个选定PVD上执行电流-电压扫掠以确定直流DC系数；

和使用所述多个PVD的第一选定PVD上的一或多个测试点来执行交流电AC校准测试以确定一组一或多个交流AC系数，其中对于每一测试点，所述方法包含：将具有已知频率和已知电力电平的射频RF测试信号提供到所述选定PVD；测量所得峰值电压；计算使所述峰值电压与所述RF测试信号相关的AC校准系数；以及将所述AC校准系数存储在所述集成电路上的非易失性存储器位置中。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述AC校准测试的所述已知频率小于高频操作频率，所述方法进一步包括：

使用具有在所述IC的工作范围内的高频的测试RF信号来在第二选定PVD上执行至少一个高频校准测试；

计算高频校准系数，其使所述峰值电压与所述测试RF信号相关；

计算转换因子ρ值，其使所述AC校准系数与所述高频校准系数相关；以及

将所述ρ值存储在所述集成电路上的另一非易失性存储器位置中。

9.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括：

测量所述第二选定PVD响应于高频射频RF信号而产生的峰值电压，以产生第一测得电压；

以及

通过使用所述DC系数、所述AC系数和ρ调整所述第一测得电压来计算所述RF信号的近似功率。

10.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括：

测量所述第二选定PVD响应于静态输入而产生的第二峰值电压，以产生第二测得电压；

将所述第二测得电压从所述第一测得电压减去，以产生双重取样的测得电压；以及

其中所述双重取样的测得电压代替所述第一测得电压用于计算所述RF信号的所述近似功率。