[发明专利]低熔点组合物、密封材料以及电子部件有效
| 申请号： | 201680061377.5 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN108137385B | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 池田拓朗 | 申请（专利权）人： | 日本山村硝子株式会社 |
| 主分类号： | C03C3/23 | 分类号： | C03C3/23;C09K3/10 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 冯雅;朱黎明 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 熔点 组合 密封材料 以及 电子 部件 | ||
1.一种低熔点密封材料，它是包含低熔点组合物而成的低熔点密封材料，
所述低熔点组合物包含选自Mo和W的一种或者两种、以及Ag、I和O作为必需的构成要素而成，其特征在于，在作为阳离子和阴离子结合而成的式MQm/q所示的各种化合物的集合体，并且作为除氧化物离子(O2－)以外的阴离子全部与Ag离子结合而成的物质来表示该组合物时，该组合物中的这些化合物所占比例满足如下的条件：
AgI·····12～82摩尔％，
AgO1/2···12～60摩尔％，
MoO3+WO3·6～28摩尔％，
ΣAgQ1/q··68～94摩尔％，以及
ΣMOm/2···18～88摩尔％，并且，
将R1定为碱金属，将R2定为碱土金属时，是(2×MoO3+2×WO3+3×PO5/2)/(AgO1/2+R1O1/2+2×R2O)＜1；
所述组合物对于氧化物表面显示低接触角；
式中M表示价数m的阳离子，Q表示价数q的阴离子。
2.一种低熔点密封材料，它是包含低熔点组合物而成的低熔点密封材料，
所述低熔点组合物包含选自Mo和W的一种或者两种、以及Ag、I和O作为必需的构成要素而成，其特征在于，在作为阳离子和阴离子结合而成的式MQm/q所示的各种化合物的集合体，并且作为除氧化物离子(O2－)以外的阴离子全部与Ag离子结合而成的物质来表示该组合物时，该组合物中的这些化合物所占比例满足如下的条件：
AgI·····12～82摩尔％，
AgO1/2···12～60摩尔％，
MoO3+WO3·6～28摩尔％，
ΣAgQ1/q··68～94摩尔％，以及
ΣMOm/2···18～88摩尔％，并且，
所述组合物的吸收端的波长λg在480nm以上；
式中M表示价数m的阳离子，Q表示价数q的阴离子。
3.如权利要求1或者2所述的低熔点密封材料，其特征在于，所述低熔点组合物仅包含选自Mo和W的一种或者两种、以及Ag、I和O作为构成要素，并且是(2×MoO3+2×WO3)/AgO1/2＜1。
4.如权利要求1～3中任一项所述的低熔点密封材料，其特征在于，所述低熔点组合物实质上不包含AgF、AgCl以及AgBr。
5.一种电子部件，使用权利要求1～4中任一项的低熔点密封材料密封而成。
6.一种电子部件，包含使用权利要求1～4中任一项的低熔点密封材料相互接合的两个以上的部件而成。
7.如权利要求5或者6所述的电子部件，其特征在于，它是晶体振子、半导体元件、SAW元件或者有机EL元件。
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