[发明专利]成像器件和电子装置有效

专利信息
申请号: 201680060810.3 申请日: 2016-10-12
公开(公告)号: CN108140661B 公开(公告)日: 2022-10-18
发明(设计)人: 柳田刚志;名取太知;高桥裕嗣;丸山俊介;丸山康 申请(专利权)人: 索尼半导体解决方案公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 姚鹏;曹正建
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 成像 器件 电子 装置
【说明书】:

提出一种成像器件以及包括有成像器件或摄像元件的电子装置。公开的成像器件能够包括:基板;第一光电转换器,具有形成在所述基板中的第一区域;和第二光电转换器,具有形成在所述基板中的第二区域。所述第一区域大于所述第二区域。此外,遮光壁能够从所述基板的第一表面延伸,使得所述遮光壁的至少一部分位于所述第一光电转换器与所述第二光电转换器之间。

技术领域

本发明涉及成像器件和电子装置。具体地,本发明涉及一种能够扩展动态范围的成像器件和电子装置。

相关申请的交叉参考

本申请主张享有2015年10月26日提交的日本优先专利申请JP2015-209533的权益,并将该日本优先专利申请的全部内容以引用的方式并入本文。

背景技术

存在以各种方法来扩展摄像装置的动态范围的技术。例如,已知时间分割方法,其中,在不同的时间使用不同的灵敏度获取图像,以便合成在不同时间获取的图像。

此外,例如,已知空间分割方法,其中,具有不同灵敏度的光接收元件设置在摄像装置中,以便分别合成通过光接收元件获取的多个图像,扩展摄像装置的动态范围(例如,参见专利文献1和2)。

此外,例如,已知像素内存储器方法,其中,存储器设置在摄像装置内各像素上,该存储器内累积有从光电二极管溢流出的电荷,以便增加曝光期间内累积的电荷量,且这样的增加扩展了摄像装置的动态范围(例如,参见专利文献3)。

引用列表

专利文献

专利文献1:日本专利第3071891号

专利文献2:日本专利申请特开第2006-253876号

专利文献3:日本专利第4317115号

发明内容

技术问题

增加时间分割方法中的分割时间的数量或增加空间分割方法中的分割空间的数量能够扩展摄像装置的动态范围。然而,另一方面,由于例如伪影(artifact)的发生或分辨率的降低,分割时间或分割空间的数量的增加使图像质量劣化。

此外,存储器容量的限制制约了像素内存储器方法的动态范围扩展。

鉴于前述,期望在不使图像质量劣化的情况下扩展摄像装置的动态范围。

技术问题的解决方案

根据本发明的方面的摄像装置包括:像素阵列单元;布置在像素阵列单元中的多个单位像素,所述单位像素包括第一光电转换器和第二光电转换器,所述第二光电转换器具有比第一光电转换器的灵敏度更低的灵敏度,所述第二光电转换器包括形成在第二光电转换器的光进入所述第二光电转换器的一侧的遮光膜。

用来收集进入第二光电转换器的光的透镜可以不形成在所述第二光电转换器上。

在光电转换器之间可以设置有遮光壁,所述遮光壁用来防止光从光电转换器泄漏进入与所述光电转换器相邻的光电转换器中。

所述遮光膜可以具有狭缝。

所述狭缝在形成于相邻的第二光电转换器上的遮光膜上的形成方向可以是不同的。

所述摄像装置可以是背侧照射型图像传感器。

所述摄像装置可以是前侧照射型图像传感器。

所述遮光膜可以形成在形成于所述第二光电转换器上的配线层的下侧或上侧。

遮光膜可以是非晶硅膜,多晶硅膜,Ge膜,GaN膜,CdTe膜,GaAs膜,InP膜,CuInSe2膜,Cu2S膜,CIGS膜,非导电碳膜,黑抗蚀膜,有机光电转换膜或金属膜。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼半导体解决方案公司,未经索尼半导体解决方案公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680060810.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top