[发明专利]发光器件和包括发光器件的发光器件封装有效
申请号: | 201680059835.1 | 申请日: | 2016-08-25 |
公开(公告)号: | CN108352429B | 公开(公告)日: | 2020-09-25 |
发明(设计)人: | 朴修益;金珉成;成演准;李容京;崔光永 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L33/46 | 分类号: | H01L33/46;H01L33/36 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 达小丽;夏凯 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 包括 封装 | ||
实施例公开一种发光器件和包括该发光器件的发光器件封装,发光结构包括:第一导电半导体层、第二导电半导体层、被布置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层,并且具有第一凹部和第二凹部,该第一凹部和第二凹部穿过第二导电半导体层和有源层并且被布置在第一导电半导体层的部分区域上;连接电极,该连接电极被布置在第一凹部内并且电连接到第一导电半导体层;反射层,该反射层被布置在第二凹部内;以及绝缘层,该绝缘层被配置成使反射层和发光结构彼此电绝缘。
技术领域
实施例涉及一种发光器件。
背景技术
诸如GaN和AlGaN的III-V族化合物半导体由于其包括具有宽且容易调节的带隙能的优点而被广泛用于光电子和电子器件。
特别地,使用III-V族或II-VI族化合物半导体材料的诸如发光二极管或激光二极管的发光器件可以由于薄膜生长技术和器件材料的发展而实现各种颜色,诸如红色、绿色、蓝色和紫外线(UV),还可以通过使用荧光材料或组合颜色来实现高效率的白光,并且与诸如荧光灯和白炽灯的传统光源相比具有低功耗、半永久使用寿命、快速响应速度、安全以及环保的优点。
因此,发光器件的应用已经被扩展到光通信装置的传输模块、作为组成液晶显示器(LCD)装置的背光的冷阴极荧光灯(CCFL)的替代的发光二极管背光、能够代替荧光灯或白炽灯的白色发光二极管照明装置、车辆前照灯和交通信号灯。
发光器件具有包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的发光结构,并且第一电极和第二电极分别被布置在第一导电半导体层和第二导电半导体层上。通过经由第一导电半导体层注入的电子和经由第二导电半导体层注入的空穴彼此相遇,发光器件发射具有由形成有源层的材料的独特能带确定的能量的光。从有源层发射的光可以根据形成有源层的材料的组成而变化,并且可以是蓝光、UV光、深UV光等。
图1是图示传统的发光器件的视图。
图1中图示的垂直发光器件具有发光结构(10),其包括被布置在第二电极(16)上方的第一导电半导体层(12)、有源层(14)和第二导电半导体层(16),并且具有被布置在第一导电半导体层(12)上方的第一电极(13)。
在传统的发光器件中,光提取主要发生在水平方向上。在这种情况下,存在下述问题,当从发光器件的有源层(14)产生的光被提取到发光器件的外部的光路延长时,在发光二极管内部出现吸收,并且因此光提取效率降低。
此外,存在下述问题,即,发光主要发生在电流扩散较弱的某部分,大部分发射的光在发射光的部分被吸收,并且因此光提取效率降低。
发明内容
技术问题
实施例的一个方面是为了提供具有较高的光提取效率的发光器件。
技术方案
根据本公开的一个实施例的发光器件包括:发光结构,该发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、被布置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层;以及第一凹部和第二凹部,该第一凹部和第二凹部穿过第二导电半导体层和有源层并且被布置成直到第一导电半导体层的部分区域;连接电极,该连接电极被布置在第一凹部内并且电连接到第一导电半导体层;反射层,该反射层被布置在第二凹部内;以及绝缘层,该绝缘层被配置成使反射层和发光结构彼此电绝缘。
有源层可以产生紫外波长范围中的光。
反射层可以反射紫外波长范围中的光。
第一凹部可以包括第一-第一凹部和第一-第二凹部,并且第二凹部可以布置在第一-第一凹部和第一-第二凹部之间。
连接电极可以包括多个连接电极,并且发光器件可以包括第一导电层,该第一导电层被电连接到多个连接电极。
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