[发明专利]发光器件和包括发光器件的发光器件封装有效
申请号: | 201680059835.1 | 申请日: | 2016-08-25 |
公开(公告)号: | CN108352429B | 公开(公告)日: | 2020-09-25 |
发明(设计)人: | 朴修益;金珉成;成演准;李容京;崔光永 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L33/46 | 分类号: | H01L33/46;H01L33/36 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 达小丽;夏凯 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 包括 封装 | ||
1.一种发光器件,包括:
导电层;
发光结构,所述发光结构被布置在所述导电层上并且包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、被布置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层、以及第一凹部和第二凹部,所述第一凹部和所述第二凹部分别穿过所述第二导电类型半导体层、所述有源层和所述第一导电类型半导体层的一部分;
第一电极,所述第一电极被布置在所述第一凹部中并且电连接所述第一导电类型半导体层;
绝缘层,所述绝缘层被布置在所述第二凹部中;以及
在所述第二凹部中布置的反射层,以及
其中,所述绝缘层被配置成使所述反射层与所述发光结构的所述第一导电类型半导体层和所述有源层电绝缘,以及
其中,所述第二凹部包围所述第一凹部并且包括闭环形状。
2.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述绝缘层接触在所述第二凹部中暴露的第一导电类型半导体层的整个区域。
3.根据权利要求1所述的发光器件,其中,在所述第二凹部中的绝缘层包围所述第一电极。
4.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述第二凹部的外顶表面的形状与所述发光结构的外边缘相同。
5.根据权利要求1所述的发光器件,其中:
所述第一凹部包括第一-第一凹部和第一-第二凹部;以及
所述第二凹部被布置在所述第一-第一凹部和所述第一-第二凹部之间。
6.根据权利要求5所述的发光器件,其中:
所述第二凹部包括包围所述第一-第一凹部的第二-第一凹部和包围所述第一-第二凹部的第二-第二凹部,以及
所述发光结构包括由所述第一-第一凹部和所述第二-第一凹部配置的第一发光区域和由所述第一-第二凹部和所述第二-第二凹部配置的第二发光区域。
7.根据权利要求6所述的发光器件,其中:
所述第一发光区域和所述第二发光区域中的每个包括所述第一导电半导体层、所述第二导电半导体层和所述有源层;以及
所述第一发光区域和所述第二发光区域中的每个的所述第二导电半导体层和所述有源层分别被所述第二凹部分开。
8.根据权利要求6所述的发光器件,其中,所述第二-第一凹部和所述第二-第二凹部彼此连接。
9.根据权利要求6所述的发光器件,其中,所述第二-第一凹部和所述第二-第二凹部彼此隔开。
10.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述第一凹部在平面图中具有多边形形状或圆形形状。
11.根据权利要求1所述的发光器件,其中:
所述第二凹部的突起高度大于或等于所述第一凹部的突起高度,以及
所述第一凹部和所述第二凹部的突起高度分别是从所述有源层到所述第一凹部的上表面的距离以及从所述有源层到所述第二凹部的上表面的距离。
12.根据权利要求1所述的发光器件,其中:
所述第一凹部和所述第二凹部在第一方向上延伸;以及
所述第一方向是与所述发光结构的厚度方向垂直的方向。
13.根据权利要求12所述的发光器件,其中,所述第二凹部的第一方向上的长度大于邻近所述第二凹部的至少一个第一凹部的第一方向上的长度。
14.根据权利要求1所述的发光器件,其中:
所述绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层;以及
所述反射层被布置在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间。
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