[发明专利]发光器件

说明书

在一个实施例中公开了一种发光器件，包括：衬底；发光结构，包括第一半导体层、有源层、第二半导体层和穿透第二半导体层和有源层且设置为直到第一半导体层的部分区域的第一凹槽；反射电极层，其覆盖第二半导体层的下部和第一凹槽的侧壁；第一欧姆电极，其设置在所述第一凹槽内并且电连接到所述第一半导体层；以及第一绝缘层，用于使第一欧姆电极和反射电极层电绝缘。

技术领域

本发明涉及一种发光器件。

背景技术

发光二极管(LED)器件是将电能转换成光能的化合物半导体器件。LED可以通过调整化合物半导体的组成比来实现各种颜色。

与诸如荧光灯和白炽灯等现有光源相比，氮化物半导体LED具有诸如能耗低、半永久性寿命、响应速度快、稳定性好，环保等优点。因此，氮化物半导体LED的应用范围已经扩展到能够代替构成液晶显示器(LCD)装置的背光的冷阴极荧光灯(CCFL)的LED背光，能够替代荧光灯或白炽灯、车头灯和信号灯的白色LED照明装置。

通常，在蓝宝石衬底上生长氮化镓基LED。但是，由于蓝宝石衬底是硬的且不导电且导热性低，所以蓝宝石衬底在通过氮化镓基LED的尺寸减小而降低制造成本并改善光输出和芯片特性方面面临局限性。

在生长在蓝宝石衬底、碳化硅衬底、硅衬底等上的现有InGaN LED中，可能发生内部量子效率随着电流密度增加而降低的下垂现象，并且可能出现诸如电流拥塞等可靠性问题。

因此，为了开发具有诸如高效率和高电流的特性的LED，需要开发使用具有小晶格失配和低位错密度的GaN块状衬底的LED。

发明内容

【技术问题】

本发明旨在提供一种使用氮化镓(GaN)衬底的发光器件。

此外，本发明旨在提供一种具有提高的光提取效率的发光器件。

【技术方案】

本发明的一个方面提供了一种发光器件，其包括：衬底；发光结构，所述发光结构包括第一半导体层、有源层和第二半导体层，并且具有穿过所述第二半导体层和所述有源层并且被设置为占据所述第一半导体层的部分区域的第一槽；反射电极层，被构造为覆盖所述第二半导体层的下部和所述第一槽的侧壁；第一欧姆电极，通过第一槽电连接到第一半导体层；以及第一绝缘层，被构造为使第一欧姆电极和反射电极层彼此电绝缘。

第一绝缘层可以设置在反射电极层和发光结构之间。

所述发光器件可以包括被构造为覆盖反射电极层的第二绝缘层、穿透第二绝缘层以电连接到第一欧姆电极的第一电极焊盘以及穿透第二绝缘层以电连接到反射电极层的第二电极焊盘。

第一欧姆电极的面积可以朝向衬底逐渐增大，第一电极焊盘的面积可以朝着衬底逐渐减小。

反射电极层可以电连接到第二半导体层。

第一欧姆电极和第一半导体层之间的接触面积可以是有源层的总面积的1％至10％。

衬底可以包括与第一半导体层接触的第一层。

第一层的掺杂剂浓度可以高于与第一层相邻的第三层的掺杂剂浓度。

第一层的掺杂剂浓度可以在1×10¹⁸cm^-3至5×10¹⁹cm^-3的范围内。

第一层的厚度可以是衬底总厚度的40％至50％。

第一层的厚度可以大于第一半导体层的厚度。

衬底可以具有80μm至300μm的厚度，并且光提取结构可以具有10μm至30μm的高度。

【有益效果】