[发明专利]发光器件

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

衬底；

发光结构，所述发光结构包括第一半导体层、有源层和第二半导体层，并且具有穿过所述第二半导体层和所述有源层并且被设置为占据所述第一半导体层的部分区域的第一槽；

反射电极层，被构造为覆盖所述第二半导体层的下部和所述第一槽的侧壁；

第一欧姆电极，设置在所述第一槽中并且电连接到所述第一半导体层；以及

第一绝缘层，被构造为使所述第一欧姆电极和所述反射电极层彼此电绝缘，

其中所述衬底包括与所述第一半导体层接触的第一层、设置在第一层上方的第二层、以及设置在第一层和第二层之间的第三层，

其中所述第一层、所述第二层和所述第三层包括掺杂剂，

其中所述第三层的掺杂剂浓度低于所述第一层和所述第二层的掺杂剂浓度。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一绝缘层设置在所述反射电极层和所述发光结构之间。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述发光器件包括：

第二绝缘层，被构造为覆盖所述反射电极层；

第一电极焊盘，穿透所述第二绝缘层以电连接到所述第一欧姆电极；以及

第二电极焊盘，穿透所述第二绝缘层以电连接到所述反射电极层。

4.根据权利要求3所述的发光器件，其中所述第一欧姆电极的面积朝向所述衬底逐渐增大，所述第一电极焊盘的面积朝向所述衬底逐渐减小。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述反射电极层电连接到所述第二半导体层。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一欧姆电极与所述第一半导体层之间的接触面积为所述有源层的总面积的1％至10％。

7.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一层的掺杂剂浓度在1×10¹⁸cm^-3至5×10¹⁹cm^-3的范围内。

8.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一层的厚度是所述衬底的总厚度的40％至50％。

9.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一层的厚度大于所述第一半导体层的厚度。

10.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述衬底具有80μm至300μm的厚度，光提取结构具有10μm至30μm的高度。

11.根据权利要求1所述的发光器件，其中设置在所述第一槽的所述侧壁上的所述反射电极层设置在比所述有源层更高的水平处。

12.一种发光器件封装，包括：

发光器件；以及

波长转换层，被构造为转换由所述发光器件发射的光，

其中所述发光器件包括发光结构，所述发光结构包括第一半导体层、有源层和第二半导体层，并且具有第一槽，所述第一槽穿过所述第二半导体层和所述有源层并且被设置成占据所述第一半导体层的部分区域；

氮化镓衬底，设置在所述第一半导体层上；

反射电极层，被构造为覆盖所述第二半导体层的下部和所述第一槽的侧壁；

第一欧姆电极，设置在所述第一槽中并且电连接到所述第一半导体层；以及

第一绝缘层，被构造为使所述第一欧姆电极和所述反射电极层彼此电绝缘，

其中所述衬底包括与所述第一半导体层接触的第一层、设置在第一层上方的第二层、以及设置在第一层和第二层之间的第三层，

其中所述第一层、所述第二层和所述第三层包括掺杂剂，

其中所述第三层的掺杂剂浓度低于所述第一层和所述第二层的掺杂剂浓度。