[发明专利]切割片及切割片的制造方法

说明书

本发明提供一种切割片及切割片的制造方法，所述切割片为具有基材薄膜2和层叠于基材薄膜2的单面的粘着剂层3的切割片1，基材薄膜2至少具有位于距粘着剂层3最近部分的树脂层21，构成树脂层21的树脂熔点为60℃以上、170℃以下，上述树脂熔点和流体化温度的差为40℃以上、190℃以下。这种切割片1不需照射放射线即可制造，可抑制丝状切削片的产生并呈现良好的扩张性。

技术领域

本发明涉及一种将半导体晶圆等被裁切物裁切分离为元件块时，该被裁切物所黏贴的切割片及该切割片的制造方法。

背景技术

有机硅、砷化镓等半导体晶圆、玻璃基板、氧化铝基板等基板类，以及各种包装类(本说明叔中将其统称为“被裁切物”)以大直径的状态制造，它们在被裁切分离(切割)成元件块(本发明专利说明书中称为“芯片”)、并且被个别剥离(拾取，pick up)后被搬移至作为下一工序的安装工序。此时，半导体晶圆等被裁切物以事先贴合于粘着片的状态，搬移至切割、洗净、干燥、扩张、拾取以及安装等各工序。

搬移至上述切割工序的被裁切物为了确保切割工序与之后工序的被裁切物以及芯片之处理性，切割片事先黏贴于与用于裁切的切削工具接触的侧相反的侧的被裁切物表面，通常这种切割片作为基材薄膜，可使用聚烯烃类薄膜或聚氯乙烯类薄膜等，于该基材薄膜上设有粘着剂层。

作为切割工序的具体手法，在一般的全切割中，使用旋转的圆刀进行被裁切物的裁切，此时以切割片可确实地裁切所黏贴的被裁切物的方式，不仅被裁切物、连粘着剂层也可被裁切，此外，基材薄膜的一部份有时也被裁切。

此时由构成粘着剂层与基材薄膜的材料形成的切削片在切割片上产生，获得的芯片有时因切削片而污染，这种切削片的形态之一有在切割线或因切割而分离的芯片的截面附近附着的丝状切削片。

上述那样的丝状切削片大量附着于芯片的状态下直接将芯片密封，附着于芯片的丝状切削片会因密封的热而分解，此热分解物会破坏包装或导致得到的装置发生故障。由于此丝状切削片难以通过洗净清除，丝状切削片的产生会导致切割工序的产率变得低落，因此，利用切割片切割的情况下，要求防止丝状切削片产生。

此外，将以固化的树脂密封多个芯片的包装作为被裁切物进行切割时，与切割半导体晶圆的情况相比，使用切削宽度更厚的切割刀，切割的切削深度也更深。因此，由于切割时裁去的基材薄膜量比切割半导体晶圆的情况更为增多，因此有丝状切削片的产生量也增多的倾向。

为了抑制这种切削片的产生，作为切割片的基材薄膜，专利文献1中揭示了一种利用电子射线或γ(伽玛)线1～80Mrad照射的聚烯烃类薄膜的发明。该发明中，发明者认为在通过电子射线或γ线的照射构成基材薄膜的树脂中，可通过共价键形成交联，抑制切削片的产生。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利公开平第5-211234号公报

发明内容

本发明要解决的技术问题

然而，专利文献1的发明中，由于电子射线或γ线这样的放射线的照射在将上述那样的树脂暂时形成薄膜状态后才进行，因此增加了一个制造工序，有制造费用比一般的基材薄膜高的倾向。此外，照射电子射线的情况下，由于会丧失基材薄膜中的树脂结晶性，因此获得的基材薄膜的耐溶剂性相对较低。

此外，进行前述的扩张工序时，切割片被要求具有良好的扩张性，此处，由于通过如专利文献1中所公开的放射线的照射，使形成有基于共价键的交联的基材薄膜呈现较高的弹性模量，因此专利文献1中所记载的切割片无法发挥充分的扩张性。

本发明鉴于上述技术问题而完成，其目的在于提供一种不需放射线照射即可制造、可抑制丝状切削片的产生，且呈现良好扩张性的切割片。

解决技术问题的技术手段