[发明专利]膏状组合物及硅锗层的形成方法

说明书

本发明提供一种能够安全且容易地形成硅锗层的膏状组合物，还提供一种能够安全且容易地形成硅锗层的硅锗层的形成方法。本发明提供一种膏状组合物，其为用于形成硅锗层的膏状组合物，其特征在于，含有铝和锗，相对于所述铝100质量份，所述锗的含量大于1质量份、且为10000质量份以下。

技术领域

本发明涉及一种膏状组合物及硅锗层的形成方法。

背景技术

以往，作为半导体材料之一，使用有作为硅与锗的混晶材料的硅锗(Si-Ge)。这样的半导体材料在硅等基板上作为硅锗层而形成，并被用作晶体管或二极管的一部分。

作为形成硅锗层的方法，公开了利用化学气相沉积法(CVD)进行外延生长的方法(参照专利文献1)、利用分子束外延法(MBE)进行外延生长的方法(参照专利文献2)、进行基于使用了Si-Ge系合金靶的溅镀的成膜的方法(参照专利文献3)。

然而，专利文献1及2所公开的方法中，存在必须使用SiH₄或GeH₄等危险性高的气体的问题。

此外，专利文献1～3所公开的方法中，在进行外延生长的工序及进行基于溅镀的制膜的工序中，由于需要真空装置，因此存在这些工序需要长时间的技术课题。

因此，期待能够安全且容易地形成硅锗层的硅锗层的形成方法的开发，期待用于该形成方法的膏状组合物的开发。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011-146684号公报

专利文献2：日本特开2004-172276号公报

专利文献3：日本特开2004-018946号公报

发明内容

本发明要解决的技术问题

本发明的目的在于，提供一种能够安全且容易地形成硅锗层的膏状组合物，以及提供一种能够安全且容易地形成硅锗层的硅锗层的形成方法。

解决技术问题的技术手段

本申请的发明人为了达成上述目的进行了深入研究，结果发现含有铝和锗、且相对于铝的锗的含量为特定范围的含量的膏状组合物能够达成上述目的，并完成了本发明。

即，本发明涉及下述的膏状组合物及硅锗层的形成方法。

1.一种膏状组合物，其为用于形成硅锗层的膏状组合物，其特征在于，

含有铝和锗，相对于所述铝100质量份，所述锗的含量大于1质量份、且为10000质量份以下。

2.根据项1所述的膏状组合物，其进一步含有树脂成分。

3.根据项2所述的膏状组合物，其中，相对于所述铝100质量份，所述树脂成分的含量为0.1～10质量份。

4.根据项1～3中任一项所述的膏状组合物，其进一步含有玻璃成分。

5.根据项4所述的膏状组合物，其中，相对于所述铝100质量份，所述玻璃成分的含量为0.01～3质量份。

6.一种形成方法，其为硅锗层的形成方法，其特征在于，具有：

(1)将膏状组合物涂布于含硅基板上的工序1，该膏状组合物含有铝和锗，且相对于所述铝100质量份，所述锗的含量大于1质量份、且为10000质量份以下；以及

(2)对涂布有所述膏状组合物的含硅基板进行烧结的工序2。

7.根据项6所述的形成方法，其中，所述烧结于500～1000℃的温度下进行。

发明效果