[发明专利]膏状组合物及硅锗层的形成方法有效
| 申请号： | 201680055095.4 | 申请日： | 2016-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN108028187B | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 马尔万·达姆林;铃木绍太;菊地健;中原正博;森下直哉 | 申请（专利权）人： | 东洋铝株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/208 | 分类号： | H01L21/208;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;谢顺星 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 膏状 组合 硅锗层 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种膏状组合物，其为用于形成硅锗层的膏状组合物，其特征在于，
含有铝和锗，所述锗以锗粉末的状态存在，相对于所述铝100质量份，所述锗的含量大于1质量份、且为10000质量份以下。
2.根据权利要求1所述的膏状组合物，其进一步含有树脂成分。
3.根据权利要求2所述的膏状组合物，其中，相对于所述铝100质量份，所述树脂成分的含量为0.1～10质量份。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的膏状组合物，其进一步含有玻璃成分。
5.根据权利要求4所述的膏状组合物，其中，相对于所述铝100质量份，所述玻璃成分的含量为0.01～3质量份。
6.一种形成方法，其为硅锗层的形成方法，其特征在于，具有：
(1)将膏状组合物涂布于含硅基板上的工序1，该膏状组合物含有铝和锗，所述锗以锗粉末的状态存在，且相对于所述铝100质量份，所述锗的含量大于1质量份、且为10000质量份以下；以及
(2)对涂布有所述膏状组合物的含硅基板进行烧结的工序2。
7.根据权利要求6所述的形成方法，其中，所述烧结于500～1000℃的温度下进行。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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