[发明专利]自适应负位线写入辅助有效

专利信息
申请号: 201680054298.1 申请日: 2016-09-07
公开(公告)号: CN108028062B 公开(公告)日: 2022-01-25
发明(设计)人: R·萨胡 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: G11C11/419 分类号: G11C11/419;G11C7/12;G11C7/14
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 自适应 负位线 写入 辅助
【权利要求书】:

1.一种存储器,其包括:

位线对;和

写入辅助电路,包含:

电容器,具有耦合到负位线升压端子的第一端子以用于将负位线升压提供到所述位线对中的放电位线;

第一反相器,具有耦合到所述电容器的第二端子的输出,所述反相器具有接地端子;

开关,耦合于所述接地端子与接地之间,所述开关被配置成响应于升压跟踪信号的确证而断开以使得所述电容器的所述第二端子浮置以终止所述放电位线的所述负位线升压;

多个虚设存储器单元,并联耦合于一对虚设位线之间,所述多个虚设存储器单元被配置成电模型化对通过一对存取晶体管耦合到所述位线对的存储器单元的写入操作;以及

写入检测电路,被配置成响应于对所述多个虚设存储器单元的所述模型化写入操作的完成而确证所述升压跟踪信号。

2.根据权利要求1所述的存储器,其进一步包括:

字线,被配置成针对所述存取晶体管中的每一个而驱动栅极;

一对虚设位线,被配置成电模型化一对位线;以及

虚设字线,被配置成电模型化所述存储器字线的字线出现时间,其中所述多个虚设存储器单元包含一对虚设存取晶体管,所述存取晶体管被配置成使其栅极由所述虚设字线驱动以耦合到所述虚设存储器单元从而耦合到所述一对虚设位线。

3.根据权利要求1所述的存储器,其中所述虚设存储器单元包含一对交叉耦合的反相器,且其中所述交叉耦合的反相器中的一个被配置成驱动虚设存储器单元输出信号;并且其中写入检测信号被配置成响应于所述虚设存储器单元输出信号的二进制转变而确证所述升压跟踪信号。

4.根据权利要求3所述的存储器,其中所述写入检测电路包含被配置成输出所述虚设存储器单元输出信号的延迟版本和补充虚设存储器单元输出信号的延迟版本的反相器的串联链。

5.根据权利要求3所述的存储器,其中所述写入检测电路包含被配置成响应于所述虚设存储器单元输出信号的确证而接通的第一反相器和被配置成响应于补充虚设存储器输出信号的确证而断开的第二反相器。

6.根据权利要求3所述的存储器,其中所述写入检测电路包含被配置成锁存所述升压跟踪信号的锁存器。

7.根据权利要求3所述的存储器,其中所述写入检测电路被配置成响应于字线复位信号的确证而将所述升压跟踪信号充电到电源电压。

8.根据权利要求6所述的存储器,其中所述锁存器包含具有耦合到开关的锁存器接地端子的反相器,所述开关被配置成响应于字线复位信号的确证而将所述锁存器接地端子耦合到接地。

9.根据权利要求1所述的存储器,其中所述升压跟踪信号为低态有效信号,且其中写入检测信号被配置成在其确证期间使所述升压跟踪信号接地。

10.一种用于操作存储器的方法,其包括:

在对通过一对位线存取的存储器单元的写入操作期间,将所述位线中的放电位线耦合到充电电容器的第一端子,同时所述充电电容器的第二端子耦合到接地以开始所述放电位线的负位线升压操作;

响应于对所述存储器单元的所述写入操作的起始,确定对至少一个虚设存储器单元的写入操作何时完成;以及

响应于对所述至少一个虚设存储器单元的所述写入操作完成的所述确定而使所述第二端子浮置以终止所述负位线升压操作,

其中所述确定所述写入操作何时完成使用并联耦合于一对虚设位线之间的多个虚设存储器单元。

11.根据权利要求10所述的方法,其中使所述电容器的所述第二端子浮置包括对于耦合到所述电容器的所述第二端子的反相器而使接地端子与接地分离。

12.根据权利要求10所述的方法,其中确定对所述至少一个虚设存储器单元的所述写入操作何时完成包含使用虚设字线模型化字线出现周期。

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