[发明专利]用于制造辐射探测器的方法和辐射探测器有效
申请号: | 201680053905.2 | 申请日: | 2016-09-16 |
公开(公告)号: | CN108028263B | 公开(公告)日: | 2022-10-21 |
发明(设计)人: | H·利夫卡;J·M·E·贝肯;R·库霍恩;P·A·范哈尔;H·K·维乔雷克;H·胡梅尔;C·R·龙达;M·西蒙 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦有限公司 |
主分类号: | H01L27/30 | 分类号: | H01L27/30;G01T1/20 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 王英;刘炳胜 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制造 辐射 探测器 方法 | ||
本发明涉及一种用于制造用于探测电离辐射的辐射探测器的方法,所述辐射探测器包括作为直接转换材料和/或作为探测器层中的闪烁体材料的第一无机‑有机卤化物钙钛矿材料(24),并且涉及借助于该方法的步骤制造的包括探测器层(24)的辐射探测器。为了提供一种制造适用于辐射探测器的钙钛矿材料的厚层(例如超过10μm)的方法,建议在引晶层(23)上选择性地生长材料,产生厚的多晶层。生长前驱钛矿材料的一个合适的引晶层(23)由溴化钙钛矿材料制成。
技术领域
本发明涉及一种用于制造用于电离辐射的辐射探测器的方法,该辐射探测器包括作为直接转换材料和/或作为探测器层中的闪烁体材料的第一无机-有机卤化物钙钛矿材料,并且涉及通过该方法的步骤制造的包括探测器层的辐射探测器。
背景技术
闪烁体是吸收高能辐射(如α射线、β射线、γ射线、X射线、中子或其他高能粒子)并将该能量转换为可见光子的迸发的材料。在针对上述辐射的探测器中,这些光子然后被光电探测器转换成电脉冲。
替代地,辐射在被层夹于两个电极之间的半导体中直接转换。在探测器中,初始形成的电子空穴对被外部施加的电场分离,并且由放大器感测所得到的电流。用于X射线辐射的直接转换探测器的各种材料被描述,例如在S.Kasap等人的“Amorphous andPolycrystalline Photoconductors for Direct Conversion Flat Panel X-Ray ImageSensors”(Sensors 2011,11,5112-5157(2011))中。US 5132541解决平板X射线探测器中的应用。
已经有相当长的一段时间,无机-有机卤化物钙钛矿已经被研究用于几种应用。其中之一是闪烁体,例如参见K.Shibuya等人的“Quantum confinement for large lightoutput from pure semiconducting scintillators”(Applied Physics Letters,第84卷,第22期,第4370-4372页)。这样的系统也已经以非常高的效率被研究用于EL发光和光伏(PV),例如参见M.Era等人的“Organic-inorganic heterostructure electroluminescentdevice using a layered calciumovite semiconductor(C6H5C2H4NH3)2PbI4”(Appl.Phys.Lett.65(6),第676-678页,1994年8月)和M.的“The light andshade of perovskite solar cells”(Nature Materials,第13卷,2014,第838-842页)。
也已知钙钛矿材料充当发光体,参见例如Z.-K.Tan等人的“Bright light-emitting diodes based on organometal halide perovskite”(NatureNanotechnology,第9卷,第687-692页,2014)。
EP 1258736 A1涉及一种用于探测诸如伽马射线、X射线、电子束、带电粒子束和中性粒子束的电离射束放电的辐射探测设备。具体而言,其涉及能够测量从光电发射出现到消失的非常短的时间(亚纳秒级或更小)存在的辐射的辐射探测设备。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的